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第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇盛大召開

極智報告|浙江大學電氣工程學院院長盛況分享《第三代半導體支撐交通強國建設》主題報告。請您點擊頁面頂端下載極智頭條APP，更多精彩學術報告免費看！

極智報告：特邀國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟產業(yè)研究院院長郝建群分享《半導體照明產業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃與LED智慧照明發(fā)展》主題報告。

本期嘉賓無錫邑文電子科技有限公司總經理廖海濤為大家?guī)怼栋雽w裝備主題報告（一）半導體二手裝備市場評估與翻新標準化》

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務院副總理李克強到中國科學院半導體所考察。了解半導體照明聯合創(chuàng)新國家重點實驗室產品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

中國半導體照明網成立于2004年10月，是國家半導體照明工程唯一的網上信息門戶。網站自創(chuàng)建以來，一直以服務產業(yè)、引領行業(yè)、傳遞聲音的為自己的使命，伴隨著行業(yè)企業(yè)、LED人的成長，見證了整個中國半導體照明產業(yè)的成長歷程。在國家半導體照明工程協(xié)調領導小組辦公室指導和成員單位的大力支持下，經過十幾年的發(fā)展，中國半導體照明網已成為行業(yè)最權威的綜合性服務平臺。 China Solid State Lighting (www.china-led.net), established in October 2004,

唐國慶：半導體照明發(fā)展空間很大，企業(yè)要憑自身勢力贏得競爭

半導體照明改變人類生活——半導體照明中國夢

國際半導體照明聯盟主席、科技部原副部長曹健林首先帶來了題為“不忘初心，砥礪奮進，擁抱第三代半導體新時代”的重要報告，高屋建瓴，從全球視角分析了當前第三代半導體發(fā)展的時代背景，面臨的機遇與挑戰(zhàn)，為我們展現了第三代半導體當前的發(fā)展狀況以及前沿趨勢信息。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導體功率模塊在新能源汽車中應用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學術報告任性看！

對話主題：半導體產業(yè)與交通融合發(fā)展 對話嘉賓（從左往右順序）：精進電動科技股份有限公司創(chuàng)始人兼首席技術官蔡蔚、浙江大學電氣工程學院院長盛況、國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心籌備組組長原誠寅、科技部高新技術發(fā)展及產業(yè)化司原司長趙玉海、軌道交通控制與安全國家重點實驗室首席教授賈利民、國家高速列車技術創(chuàng)新中心主任劉保明、中車長春軌道客車股份有限公司副總工程師常振臣。 更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學術報告免費看，任性看！

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現在提的比較多的農業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術的集成框架研究報告。他表示，技術、成本和應用場景是照明與現實技術融合的關鍵因素。通過對光源技術發(fā)展的分析目前主要的照明技術與顯示技術的基本架構、控制難度和成本組成。給出了照明與現實技術融合的技術與成本條件。同時對照明與現實技術融合的應用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術適應更多樣化的需求以及顯示控制技術成本的降低，使得產品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術趨勢，它主要涉及到的技術內容可能包括廉價怎么降低成本

中國科學院半導體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質外延，初步實現了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調整晶核生長得到納米柱的結構，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結合相關的試驗數據，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現它的P型構造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術報告。

先普半導體技術(上海)有限公司是經上海市認定的外資高新技術企業(yè)。公司引進國際先進的純化技術和設計生產理念，研發(fā)和生產各類終端氣體純化器與寬廣流量范圍的氣體純化設備。產品廣泛應用于電子，光電，光纖，光伏，化工，醫(yī)藥等領域。 公司自2004年成立以來，在充分掌握國際先進氣體純化核心技術的基礎上，通過不斷的研究創(chuàng)新，自主開發(fā)了十幾個系列上百種產品，純度可提供9N、7N兩種級別，其中壓力范圍從1.0MPa的常壓到24MPa的高壓，流量范圍從幾百毫升每分鐘到上萬立方米每小時。 先普的氣體純化產品既可以為晶體生長

東莞市中鎵半導體科技有限公司為中國國內首家專業(yè)生產氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。公司經營范圍包括設計、研發(fā)及產銷：半導體材料、器件、生產設備等。其創(chuàng)造性地采用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，研發(fā)、生產產品包括：GaN半導體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復合襯底，圖形化藍寶石襯底（PSS）；生產上述產品的設備，如激光剝離設備等。并對相應技術擁有自主知識產權，使企業(yè)在國內國際競爭中處于一個優(yōu)勢位置。

愛發(fā)科（蘇州）技術研究開發(fā)有限公司『簡稱URCS』。為株式會社ULVAC在中國大陸的獨資開發(fā)機構，主要針對電子半導體，平板顯示行業(yè)的先端技術領域進行研究開發(fā)。本著為中國客戶能提供本地化的技術支持的宗旨，結合現地的實驗研究設備進行各種工藝驗證，提供樣品測試的技術服務的研發(fā)中心。我們將以誠信、協(xié)作、拼搏、創(chuàng)新的精神做國內領先的真空技術研發(fā)中心。希望通過更多的與中國的研發(fā)機構和生產客戶的合作，以產學研相結合的模式，為今后能夠在引領產業(yè)技術趨勢，可持續(xù)滿足市場需要的高新技術產品研發(fā)持續(xù)不斷努力。打造有中國特色的外