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報(bào)告嘉賓：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報(bào)告：《銻化物半導(dǎo)體材料及器件》

視頻簡(jiǎn)介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

深紫外線檢測(cè)技術(shù)具有重要的應(yīng)用，例如紫外線成像，紫外線/紅外線雙重引導(dǎo)，預(yù)警系統(tǒng)，紫外線通訊，紫外線干擾等。中國(guó)科學(xué)技術(shù)

易美芯光梁玥：電荷轉(zhuǎn)移對(duì)量子點(diǎn)電致發(fā)光器件壽命的影響

深圳第三代半導(dǎo)體研究院光電器件研發(fā)總監(jiān)蔣振宇帶來了紫外消毒手冊(cè)解讀之紫外消毒設(shè)備的精彩主題分享

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長(zhǎng)方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長(zhǎng)方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

歐司朗光電半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司銷售負(fù)責(zé)人邵嘉平做了題為超越照明 | 光電器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀、突破點(diǎn)及應(yīng)用趨勢(shì)的主題報(bào)告，分享了當(dāng)前超越照明發(fā)展趨勢(shì)，他表示，照明的對(duì)于提高人們生活品質(zhì)的潛力正在不斷釋放，超越照明的應(yīng)用市場(chǎng)有巨大的增長(zhǎng)潛力，在農(nóng)業(yè)照明領(lǐng)域有很多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。歐司朗關(guān)注以人為本的光，在紫外、舞臺(tái)、建筑、Micro/MiniLEDs、VCSELs等領(lǐng)域均在積極布局。

美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對(duì)惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶：低毒性量子點(diǎn)復(fù)合材料LED器件應(yīng)用

加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬》研究報(bào)告。早年經(jīng)華人諾獎(jiǎng)得主李政道博

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報(bào)告|英飛凌科技香港有限公司市場(chǎng)總監(jiān)馬國(guó)偉：CoolSiCTMSiC MOSFET技術(shù)、器件和應(yīng)用 更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報(bào)告|中電科55所：SiC電力電子器件產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

極智報(bào)告|株洲中車時(shí)代電動(dòng)汽車股份有限公司副總經(jīng)理劉國(guó)友：新能源汽車用功率器件解決方案報(bào)告。更多專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，免費(fèi)看！

今天極智課堂邀請(qǐng)到中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應(yīng)用及展望》主題報(bào)告

本期嘉賓蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報(bào)告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展》

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成