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《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室

《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院

《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

《石墨烯驅(qū)動的應(yīng)力工程實現(xiàn)用于深紫外LED的無應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機臺設(shè)計及外延生長的挑

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。

中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領(lǐng)域的研究動態(tài)以及研究成果。

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

報告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶經(jīng)理李曜 報告主題：《針對未來GaAs/InP基激光器的外延大規(guī)模生產(chǎn)》

報告嘉賓：西安唐晶量子科技有限公司 CEO龔平博士 報告主題：《5G/人工智能時代外延代工的機遇與挑戰(zhàn)》

視頻簡介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

報告嘉賓：AIXTRON SE高級產(chǎn)品經(jīng)理Sven Bauerdick 報告主題：《AIX G5WW C - 開創(chuàng)SiC外延量產(chǎn)新紀元》

北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。

鄭州大學(xué)教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

同步輻射X射線衍射法實現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案，討論6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi

對話內(nèi)容：Micro LED在今年吸引了大家的眼球，由于其優(yōu)良的光電學(xué)特性，Micro LED很有希挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LCD及OLED技術(shù)，掀起一場顯示器技術(shù)的革命。在2018年10月24日召開的ChinaSSL會議上，聯(lián)盟有幸采訪到來自德國愛思強的產(chǎn)品線總監(jiān)Jens Voigt博士。Voigt博士自2001年加入AIXTRON并擔任外延工藝科學(xué)家一職，主要負責(zé)氮化鎵MOCVD外延生長以滿足LED生產(chǎn)需求。他現(xiàn)任德國愛思強產(chǎn)品線總監(jiān)，負責(zé)MOCVD外延機臺的銷售，服務(wù)以及市場拓展工作。此次Voigt博士針對Mic

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應(yīng)變控制和優(yōu)異發(fā)射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報告。他表示，精準的應(yīng)變控制對硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結(jié)合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應(yīng)變控制，之前產(chǎn)業(yè)是沒有想象過的，能夠讓我們實現(xiàn)剛剛說的五大特點。問題是什么？ 副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對于我們生產(chǎn)來說是完全可以實現(xiàn)的。