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氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology

利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍(lán)寶石襯底上優(yōu)化生長高質(zhì)量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術(shù)A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學(xué)教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

大連理工大學(xué)王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術(shù)及電子性能”報(bào)告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進(jìn)一步的研究工作進(jìn)展。并把下一步的工作和進(jìn)一步實(shí)用化的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細(xì)介紹。并介紹了核心的鈍化技術(shù)，比較獨(dú)特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術(shù)之上，所以這個測試比較強(qiáng)。