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高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University

氧化鎵高導熱異質(zhì)集成射頻器件High Thermal Conductivity Heterogeneous Integrated RF Devices for Ga?O?葉建東南京大學教授YE JiandongProfessor of Nanjing University

國產(chǎn)突破，中國射頻前端產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)5G 芯時代Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era黃鑫北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總經(jīng)理HUANG XinVice General Manager of Beijing OnMicro Electronics Co., Ltd.

氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領(lǐng)域的創(chuàng)新GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond裴軼蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁PEI YiVice President of Dynax Semiconductor, Inc

新型寬禁帶壓電半導體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應(yīng)用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學佛山研究院院長，中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室

《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學技術(shù)大學納米技術(shù)與納米仿生學院

《面向終端應(yīng)用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導體照明，第三代半導體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機構(gòu)領(lǐng)導以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天

蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確

中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

英國布里斯托大學教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來的一些應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢頭很強勁，當前，通訊、雷達等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當前開發(fā)GaN-on-Diamon

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。