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第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說(shuō)是其第一個(gè)較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時(shí)代的展開(kāi)，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報(bào)告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團(tuán)隊(duì)最新的多個(gè)研究發(fā)現(xiàn)和研究

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問(wèn)題張榮--廈門大學(xué)校長(zhǎng)、教授

基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用 張榮 教授 廈門大學(xué)