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融通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 構(gòu)建應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)圈Integrate Semiconductor Industry Chain to Build Application Innovation Ecosystem李虹華潤微電子有限公司總裁LI HongPresident of China Resources Microelectronics Limited

高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級經(jīng)理

國產(chǎn)突破，中國射頻前端產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)5G 芯時代Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era黃鑫北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總經(jīng)理HUANG XinVice General Manager of Beijing OnMicro Electronics Co., Ltd.

后快充時代的氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤新微電子（大連）有限公司副總經(jīng)理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology

Ga2O3光電二極管的可控制備及應(yīng)用Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes盧紅亮復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授LU HongliangProfessor of Fudan University

第三代半導(dǎo)體技術(shù)MicroLED光電顯示世界周佳利晶微電子技術(shù)（江蘇）有限公司 總經(jīng)理助理/Micro LED研究院副院長ZHOU JiaLEADSTAR Micro-Crystal Display Corporation(JiangSu)Ltd.

Micro-LED 顯示產(chǎn)業(yè)化進展與挑戰(zhàn)秦鋒天馬微電子集團研發(fā)中心總經(jīng)理、Micro-LED研究院院長QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.

全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢，王鑫華，魏珂，劉新宇中國科學(xué)院微電子研究所

面向全GaN集成的高性能GaN基增強型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學(xué)院微電子研究所

高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰澤中國科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

先進封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

江蘇南大光電材料股份有限公司陳化冰副總裁受邀出席第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇期間，接受極智頭

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢

中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了高性能的增強型GaN MOSHEMT。

　　青島精誠華旗微電子設(shè)備有限公司是專業(yè)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備及先進材料專用設(shè)備研發(fā)、制造廠家。致力于為半導(dǎo)體、高新材料提供先進的專用設(shè)備，工藝涵蓋擴散、氧化、退火、合金、薄膜淀積（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、外延、燒結(jié)等工藝。精誠華旗擁有十幾年的專業(yè)研發(fā)制造經(jīng)驗、半導(dǎo)體工藝設(shè)備覆蓋一、二、三代半導(dǎo)體材料-硅、砷化鎵、氮化鎵等等。產(chǎn)品服務(wù)廣泛應(yīng)用于行業(yè)內(nèi)的大專院校、科研院所、半導(dǎo)體制造企業(yè)工廠等。主要產(chǎn)品有:4"-8"擴散爐系列,LPCVD系統(tǒng),PECVD系統(tǒng),VPE系統(tǒng),擴散爐爐體系列及真空爐系列。4"-8"