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氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology

基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級(jí)硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進(jìn)，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大