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大連理工大學(xué)王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術(shù)及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進一步的研究工作進展。并把下一步的工作和進一步實用化的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細介紹。并介紹了核心的鈍化技術(shù)，比較獨特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術(shù)之上，所以這個測試比較強。