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加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban

氧化鎵材料和電子器件的熱特性Thermal Characteristics of Ga2O3Materials and Electronic Devices孫華銳哈爾濱工業(yè)大學（深圳）教授，理學院副院長SUN HuaruiProfessor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen

面向柔性和垂直電子器件的外延氧化鎵薄膜Epitaxial Ga2O3 thin film membrane for flexible and vertical electronics李曉航沙特阿卜杜拉國王科技大學副教授（陸義代講）LI XiaohangAssociate Professor at King Abdullah University of ScienceTechnology

硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

從應用端看GaN功率電子器件面臨的關鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學

Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授

寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展 郝躍 院士 西安電子科技大學

《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所，廈門大學

《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學

《面向復雜電氣應用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院

河北工業(yè)大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種

極智報告|中電科55所：SiC電力電子器件產(chǎn)品國產(chǎn)化進展

本期嘉賓蘇州能訊高能半導體有限公司總經(jīng)理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展》

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項目負責人，主持開發(fā)了基于0.1um G

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應器當中的表現(xiàn)主題報告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質(zhì)外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產(chǎn)領域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個好事，那么同時它這個結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預計2018年這種全面的自動化技術的使用，會使得我們整個產(chǎn)業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現(xiàn)一個產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產(chǎn)品。