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《面向長波長LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《高靈敏石墨烯氮化鎵探測器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學(xué)

《石墨烯驅(qū)動的應(yīng)力工程實現(xiàn)用于深紫外LED的無應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院

【極智報告】明朔光電副總經(jīng)理江維：基于石墨烯智慧路燈的道路大數(shù)據(jù)生態(tài)構(gòu)建與運營

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領(lǐng)域的研究動態(tài)以及研究成果。

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

紫外LED因其在醫(yī)療、印刷、環(huán)境凈化等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景，近年來市場份額日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散熱問題已經(jīng)成為制約紫外LED發(fā)展應(yīng)用的主要瓶頸之一。復(fù)旦大學(xué)副研究員劉盼分享了燒結(jié)銀芯片連接工藝與石墨烯覆銅基板對紫外LED封裝的熱模擬分析。劉盼2011年開發(fā)了可調(diào)制光捕捉表面，顯著提升了薄膜硅基太陽能電池效率。2012年至2016年，與荷蘭飛利浦照明緊密合作，共同研發(fā)了一款微縮體積照明封裝系統(tǒng)，

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長。通過濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到