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報(bào)告中，他首先介紹了健康照明研發(fā)的重點(diǎn)以及十三五的光健康項(xiàng)目。他表示，要從光品質(zhì)的特征與顯性健康的生理量表達(dá)出發(fā)，建立以視覺生理指標(biāo)為主體的，涵蓋非視覺生物效應(yīng)與顯性生理量的光健康人因?qū)W評(píng)價(jià)體系，解決半導(dǎo)體照明參數(shù)與人體健康之間的影響機(jī)制這一科學(xué)問題，構(gòu)建客觀量化評(píng)價(jià)半導(dǎo)體照明的短、中、長期生理影響的研究路徑。 他提出健康照明的五大研究重點(diǎn)： 其一是光譜能量分布對(duì)于人的視覺、非視覺、腦功能、皮膚及代

浙江大學(xué)教授泮進(jìn)明，結(jié)合實(shí)踐及案例，分享了養(yǎng)雞場LED的應(yīng)用。他表示，我們需要把養(yǎng)殖場很多實(shí)際的條件，對(duì)防水、防灰塵、光的要求等總結(jié)出來，以便可以更好的應(yīng)用實(shí)踐。

中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個(gè)重要問題，在自然能源不斷減少，價(jià)格不斷上升的背景下，我們需要找到一個(gè)更加有效的方式來利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

本期嘉賓華中科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師陳明祥為大家分享《紫外/深紫外LED封裝技術(shù)與工藝研究》

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務(wù)院副總理李克強(qiáng)到中國科學(xué)院半導(dǎo)體所考察。了解半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

極智報(bào)告|日本理化所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展 更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報(bào)告|日本大阪大學(xué)高悅：銅顆粒燒結(jié)貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進(jìn)展 更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報(bào)告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導(dǎo)體功率模塊在新能源汽車中應(yīng)用》主題報(bào)告。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告任性看！

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術(shù)上來看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

北京康美特科技股份有限公司總工程師孫宏杰針對(duì)公司生產(chǎn)的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢”報(bào)告，報(bào)告指出康美特目前所具備的競爭優(yōu)勢：一是樹脂的合成、純化；二是添加劑的合成以及配方工藝及質(zhì)量控制方面的優(yōu)勢。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

維信諾OLED顯示器先鋒立足中國，一直專注于OLED技術(shù)的發(fā)展和大規(guī)模生產(chǎn)OLED產(chǎn)品。維信諾高級(jí)技術(shù)研究院高級(jí)技術(shù)人員陳建平分享了“AMOLED顯示屏：技術(shù)現(xiàn)狀及應(yīng)用”主題報(bào)告。他表示，2015年我們已經(jīng)開始有批量生產(chǎn)的玻璃為基礎(chǔ)的剛性AMOLED面板。最近，我們已經(jīng)取得了相當(dāng)?shù)募夹g(shù)進(jìn)步為基礎(chǔ)的柔性基板AMOLED， G6代柔性AMOLED面板線2018年也將投產(chǎn)。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報(bào)告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場景是照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對(duì)光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時(shí)對(duì)照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的應(yīng)用場景進(jìn)行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時(shí)也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價(jià)怎么降低成本

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，對(duì)GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報(bào)告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實(shí)現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進(jìn)行一個(gè)類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調(diào)整晶核生長得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因?yàn)槭┦菃渭兊牟牧?，石墨烯生長會(huì)受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會(huì)有一定的紊亂，加氮受到襯底的

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展，讓與會(huì)代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機(jī)械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長。通過濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um G

中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團(tuán)公司首席專家，國際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專家，研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會(huì)帶來比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號(hào)而降低

西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報(bào)告。

廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，