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電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module張靖賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics

硅基LED照明技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用王光緒南昌大學(xué)教授WANG GuangxuProfessor of Nanchang University

基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進(jìn)，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)

硅基GaN電子器件研究進(jìn)展孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

碳化硅基窄帶紫外光電探測器崔艷霞*，李夢輝，胡鯤，耿路路，潘登，李國輝，王文艷，許并社太原理工大學(xué)

《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室

《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院

【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

報告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告

德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應(yīng)變控制和優(yōu)異發(fā)射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報告。他表示，精準(zhǔn)的應(yīng)變控制對硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結(jié)合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應(yīng)變控制，之前產(chǎn)業(yè)是沒有想象過的，能夠讓我們實現(xiàn)剛剛說的五大特點。問題是什么？ 副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對于我們生產(chǎn)來說是完全可以實現(xiàn)的。

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。