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《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院

所有的技術(shù)都有一個發(fā)展過程，尤其對于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當中的應用。其中對電網(wǎng)整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內(nèi)國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網(wǎng)的預期是整