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超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

超寬禁帶半導體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技

寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展 郝躍 院士 西安電子科技大學

《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現室溫下高電離率的體摻