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張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-07 14:21
朱志甫：10BN中子探測
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朱志甫：10BN中子探測
《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
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limit2022-01-07 14:20
張輝：氧化鎵晶體的生
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張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
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limit2022-01-07 14:18
唐寧：氮化鎵量子阱中
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唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
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徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國家重點實驗室
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limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號
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張亞民：基于脈沖信號
《基于脈沖信號導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
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limit2022-01-07 13:49
劉紅輝：光照下AlGaN/
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劉紅輝：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
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limit2022-01-07 13:47
劉少煜：一種通過提高
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劉少煜：一種通過提高
《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
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limit2022-01-07 13:35
鄭偉：4H-SiC、GaN和
2840
鄭偉：4H-SiC、GaN和
《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學(xué)材料學(xué)院，國家光電材料與技術(shù)國家重點實驗室
28400
limit2022-01-07 13:32
李忠輝：新型Al(Ga)N/
2130
李忠輝：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級重點實驗室
21300
limit2022-01-07 11:15
李天義：SiC紫外單光
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李天義：SiC紫外單光
《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
16200
limit2022-01-07 10:26
劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
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劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
11200
limit2022-01-07 10:24
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
3440
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系
34400
limit2022-01-07 10:23
何云斌：ZnO多元合金
1750
何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
17500
limit2022-01-07 10:19
陳敦軍：高增益AlGaN
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陳敦軍：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 08:59
詹騰：金屬氧化物/AlG
1470
詹騰：金屬氧化物/AlG
《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝?，李晉閩單位：中國科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
14700
limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
1170
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
11700
limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
620
路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，馮麗雅，于彤軍，王建萍單位：北京科技大學(xué)計算機與通信工程學(xué)院，北京大學(xué)物理學(xué)院
6200
limit2022-01-07 08:51
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3290
蔡端?。簹湓貙ι钭?/a>
《氫元素對深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩強，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
32900
limit2022-01-06 11:45
閆建昌：AlGaN基紫外L
3330
閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國科學(xué)院大學(xué)
33300
limit2022-01-06 11:41

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