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GaAs VCSEL 先進封裝技術(shù)進展及應(yīng)用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林勝寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.

激光雷達用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片High power GaAs VCSEL laser chip for lidar王 俊蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官WANG JunVice Chairman and CTO for Suzhou Everbright Co.,ltd

半導(dǎo)體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

報告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶經(jīng)理李曜 報告主題：《針對未來GaAs/InP基激光器的外延大規(guī)模生產(chǎn)》