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日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢

本期嘉賓蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報(bào)告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展》

極智報(bào)告|日本理化所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展 更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP。

極智報(bào)告|華中科技大學(xué)張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來(lái)了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展，讓與會(huì)代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機(jī)械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來(lái)，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長(zhǎng)了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長(zhǎng)。通過濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長(zhǎng)100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um G

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國(guó)電子科技集團(tuán)公司首席專家，國(guó)際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專家，研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會(huì)帶來(lái)比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號(hào)而降低

英國(guó)布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報(bào)告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來(lái)的一些應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢(shì)頭很強(qiáng)勁，當(dāng)前，通訊、雷達(dá)等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來(lái)越多，而碳化硅上的氮化鎵也會(huì)有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個(gè)不錯(cuò)的嘗試。Martin KUBALL詳細(xì)分享了當(dāng)前開發(fā)GaN-on-Diamon

西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報(bào)告。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長(zhǎng)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來(lái)減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長(zhǎng)基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢(shì)壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長(zhǎng)的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢(shì)壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

德國(guó)ALLOS Semiconductors GmbH市場(chǎng)總監(jiān)Alexander LOESING帶來(lái)“無(wú)碳摻雜GaN-on-Si大外延片實(shí)現(xiàn)低漏電流”報(bào)告。 “我們已經(jīng)在（111）硅襯底上通過MOVPE生長(zhǎng)了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經(jīng)通過增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時(shí)，已經(jīng)可以展示進(jìn)一步提高晶體質(zhì)量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過優(yōu)化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的

蘇州納維科技有限公司任國(guó)強(qiáng)博士分享“探索氮化物半導(dǎo)體的新應(yīng)用”主題報(bào)告

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無(wú)分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長(zhǎng)在各種基底上，最常見的是藍(lán)寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對(duì)于較大的Si襯底尺寸，但是對(duì)GaN生長(zhǎng)Si襯底變得有吸引力，這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型（e-mode），并通過低成本，

該視頻為：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報(bào)告。她主要介紹了一種無(wú)等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。

韓國(guó)嶺南大學(xué)教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發(fā)光二極管器件可靠性特性分析方法技術(shù)報(bào)告。他表示，發(fā)光二極管（LED）技術(shù)已經(jīng)迅速發(fā)展以滿足LED應(yīng)用領(lǐng)域的各種需求，如汽車照明，手術(shù)照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來(lái)越大，可靠性問題越來(lái)越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個(gè)體和外部誘導(dǎo)的退化因素、復(fù)雜因素和觸發(fā)因子等方面進(jìn)行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN 介紹了石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長(zhǎng)。2005年以來(lái)，Helge WEMAN在NTNU領(lǐng)導(dǎo)著一個(gè)科研小組研究用于光電應(yīng)用程序的iii-v族半導(dǎo)體納米線和石墨烯。2012年6月........

美國(guó)密歇根大學(xué)教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應(yīng)用GaN納米結(jié)構(gòu)的局部應(yīng)變工程技術(shù)。Pei-Cheng Ku自2012年起，成為美國(guó)密歇根大學(xué)電機(jī)工程與計(jì)算機(jī)系副教授。現(xiàn)在KU教授的研究專注在“節(jié)能光電”，具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！