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《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)

《基于III族氮化物的深紫外光電轉(zhuǎn)換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院

《寬禁帶III族氮化物中點(diǎn)缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長春光學(xué)精密機(jī)械

中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE