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《氮化鎵基Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移及紅光芯片進(jìn)展》作者：龔政單位：廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

Nanoscale Characterization of Surface Plasmon-Coupled Photoluminescence Enhancement in Pseudo Micro Blue LEDs Using Near

《量子點/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

The preparation of low-cost and 4 inch AlN template for high performance UVC-LEDAuthor: Ye Yuan, Shangfeng Liu, Lijie Hu

《石墨烯驅(qū)動的應(yīng)力工程實現(xiàn)用于深紫外LED的無應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院

中國賽寶實驗室工業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性設(shè)計中心副部長胡寧帶來了《LED路燈控制裝置質(zhì)量現(xiàn)狀及提升建議》主題報告。他表示，通過產(chǎn)品故障數(shù)據(jù)的統(tǒng)計所做的統(tǒng)計，通常講數(shù)據(jù)驅(qū)動的分析方法。因為我們做質(zhì)量或者做可靠性分析，認(rèn)為故障是改進(jìn)產(chǎn)品最重要的依據(jù)。一旦發(fā)生故障以后要分析這個故障的機(jī)理是什么，有哪些措施可以避免故障或者延遲故障的發(fā)生。基本上每個企業(yè)都有這么一個工作項目的基礎(chǔ)，都有故障信息。

加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

德國愛思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報告。他介紹說，愛思強(qiáng)的行星式反應(yīng)器平臺是生產(chǎn)具有最高一致性、重復(fù)性和缺陷控制標(biāo)準(zhǔn)的化合物半導(dǎo)體器件的已建立的平臺，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術(shù)，這是當(dāng)前高容量需求的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術(shù)：在低的缺陷水平下，結(jié)合外延層的高通量結(jié)構(gòu)具有非常高的精度。行星式反應(yīng)器平臺技術(shù)已經(jīng)被

俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大

香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點和問題》報告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見。近年來，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。

來自臺灣交通大學(xué)佘慶威教授，他在《可實現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》報告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍(lán)光到535nm綠光的變化，接著在藍(lán)光NRLED上噴涂紅色量子點材料進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實現(xiàn)RGB全彩微顯示。

廣東德豪潤達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌介紹了《Micro 和 Mini LED 焊接技術(shù)》主題報告。

復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。

美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術(shù)》報告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術(shù)，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點之一是制作復(fù)雜，這導(dǎo)致了較高的顯示成本。在嚴(yán)格堅持目標(biāo)成本的同時，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰(zhàn)。報告中提出，從外延和LE

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機(jī)臺設(shè)計及外延生長的挑

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領(lǐng)域中的開發(fā)及應(yīng)用》主題報告。

有研稀土新材料股份有限公司馬小樂博士分享了全光譜LED照明用熒光粉現(xiàn)狀及趨勢。