江蘇第三代半導(dǎo)體研究院成立于2019年7月，是江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)與國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)共建的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院圍繞第三代半導(dǎo)體在新型顯示、下一代通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用，開(kāi)展第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量材料制備技術(shù)、器件外延技術(shù)、芯片工藝技術(shù)、應(yīng)用模塊設(shè)計(jì)與集成技術(shù)及相關(guān)裝備技術(shù)的研發(fā)，通過(guò)搭建高水平的共性平臺(tái)，推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研用的深度協(xié)作創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)研究、技術(shù)開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的有機(jī)融合，逐步建成具有國(guó)際影響力的第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。 2020年研究院通過(guò)了“國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心”的建設(shè)方案。

 

二、崗位職責(zé)與應(yīng)聘條件

 

博士后

 

▌研究方向

 

新型顯示、激光器、深紫外、電力電子

 

▌應(yīng)聘條件

 

1. 具有半導(dǎo)體材料、晶體材料、半導(dǎo)體物理與器件、物理（DLTS、深能級(jí)瞬態(tài)譜）等相關(guān)理工科專業(yè)博士；

 

2. 從事第三代半導(dǎo)體器件（如Micro-LED、激光器、深紫外LED、HEMT等）仿真設(shè)計(jì)、MOCVD外延、芯片工藝、測(cè)試分析等相關(guān)領(lǐng)域研發(fā)的海內(nèi)外優(yōu)秀人才。

 

或者獨(dú)立操作D-SIMS、電鏡、XRT、TDTR與HALL等設(shè)備開(kāi)展相關(guān)材料課題研究的優(yōu)秀博士；

 

具有扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)與豐富的實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，獨(dú)立科研能力；較強(qiáng)英語(yǔ)閱讀和寫(xiě)作能力

 

4. 工作認(rèn)真，責(zé)任心強(qiáng)，動(dòng)手能力強(qiáng)并具有團(tuán)隊(duì)合作精神；

 

研發(fā)工程師

 

▌主要職責(zé)

 

按照公司制定的項(xiàng)目新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)計(jì)劃和技術(shù)方案開(kāi)展研發(fā)工作；參與新產(chǎn)品專利資料的撰寫(xiě)和整理工作；根據(jù)產(chǎn)品領(lǐng)域獨(dú)立提出研發(fā)計(jì)劃。

 

▌應(yīng)聘條件

 

具有碩士以上學(xué)歷，材料、物理、半導(dǎo)體、微電子等相關(guān)理工科專業(yè)；有第三代半導(dǎo)體材料MOCVD外延生長(zhǎng)、器件、芯片等工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。

 

外延工程師

 

▌主要職責(zé)

 

負(fù)責(zé)芯片外延結(jié)構(gòu)和工藝開(kāi)發(fā)。

 

▌應(yīng)聘條件

 

具有碩士以上學(xué)歷，材料、物理、半導(dǎo)體、微電子等相關(guān)理工科專業(yè)；MOCVD外延生長(zhǎng)、器件、芯片等工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。

 

工藝工程師

 

▌主要職責(zé)

 

執(zhí)行產(chǎn)品生產(chǎn)的一個(gè)或者多個(gè)工藝環(huán)節(jié)，熟悉相關(guān)設(shè)備的原理和操作，運(yùn)行并維護(hù)相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備，保障生產(chǎn)的成品率。

 

▌應(yīng)聘條件

 

熟悉第三代半導(dǎo)體器件工藝（如Micro-LED, 激光器，HEMT等）。具有本科以上學(xué)歷，材料、物理、半導(dǎo)體、微電子等相關(guān)理工科專業(yè)優(yōu)，在半導(dǎo)體及相關(guān)行業(yè)有工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

 

測(cè)試分析工程師

 

▌主要職責(zé)

 

負(fù)責(zé)器件性能測(cè)試分析。根據(jù)要求，操作材料表征、性能測(cè)試等相關(guān)測(cè)試設(shè)備，對(duì)研究院相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試分析。

 

▌應(yīng)聘條件

 

熟悉第三代半導(dǎo)體材料和器件（如Micro-LED, 激光器，HEMT等）光電性能相關(guān)測(cè)試分析設(shè)備，具有本科以上學(xué)歷，理工科專業(yè)，在半導(dǎo)體測(cè)試及相關(guān)行業(yè)有工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

 

專利工程師

 

▌主要職責(zé)

 

負(fù)責(zé)研究院研發(fā)產(chǎn)品/項(xiàng)目的專利挖掘，并根據(jù)公司重點(diǎn)產(chǎn)品/技術(shù)和發(fā)展規(guī)劃進(jìn)行全球?qū)＠季?、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手專利風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估，以及后續(xù)申請(qǐng)審核、答復(fù)、復(fù)審及無(wú)效等；對(duì)研究院的專利進(jìn)行分級(jí)管理，挖掘競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手侵權(quán)專利，制定關(guān)聯(lián)的產(chǎn)品侵權(quán)對(duì)照表；跟技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)和專利方面的對(duì)接，對(duì)技術(shù)人員提供的技術(shù)交底書(shū)進(jìn)行審核和完善，輔助形成專利；

 

▌應(yīng)聘條件

 

微電子類、半導(dǎo)體類或相關(guān)專業(yè)本科及以上學(xué)歷，有企業(yè)專利布局、專利挖掘經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；具有較好的英語(yǔ)讀寫(xiě)能力，能夠準(zhǔn)確、完整理解英文科技文獻(xiàn)。

 

三、企業(yè)優(yōu)勢(shì)

 

國(guó)家重大戰(zhàn)略布局方向，國(guó)家、省、市、園區(qū)重點(diǎn)支持

 

高精尖團(tuán)隊(duì)，碩博以上學(xué)歷占比75%以上

 

提供具備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的薪酬與福利

 

沒(méi)有職業(yè)天花板的發(fā)展空間及Y型職業(yè)發(fā)展雙通道

 

豐富的培訓(xùn)學(xué)習(xí)和繼續(xù)深造機(jī)會(huì)

 

應(yīng)屆碩士畢業(yè)生工作滿兩年后，優(yōu)秀員工可以在職讀博

 

四、申請(qǐng)方式

 

1. 應(yīng)聘者請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷等發(fā)送至hr_ias@iasemi.cn ，初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；

 

2. 個(gè)人詳細(xì)簡(jiǎn)歷應(yīng)包括：自大學(xué)開(kāi)始至申請(qǐng)期間不間斷的學(xué)習(xí)、工作簡(jiǎn)歷，近年來(lái)發(fā)表的論文、著作、專利、負(fù)責(zé)的科研項(xiàng)目或領(lǐng)銜的課程和實(shí)驗(yàn)教學(xué)、研發(fā)、應(yīng)用等方面取得的成果清單，聯(lián)系電話、電子信箱等信息。

 

3. 單位地址：蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)20幢

 

公司網(wǎng)址：www.iasemi.cn      聯(lián)系電話： 0512-62872850