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關(guān)于芯元基

芯元基自主開發(fā)出了一整套全新的可以規(guī)?；慨a(chǎn)的以化學(xué)剝離（CLO）GaN生長襯底為核心的GaN芯片技術(shù)及工藝。主要包括：一、復(fù)合藍寶石圖形襯底（DPSS)技術(shù)，與行業(yè)里常用的藍寶石圖形襯底（PSS）技術(shù)相比優(yōu)勢明顯；二、側(cè)向外延生長技術(shù)可以把DPSS襯底上GaN外延層中的位錯密度降低到10⁷/cm²，其他異質(zhì)外延生長技術(shù)很難做到小于10⁸/cm²；三、化學(xué)剝離生長襯底的工藝，與常規(guī)的激光剝離工藝相比，成本和良率優(yōu)勢非常明顯，從本質(zhì)上來講，激光剝離對芯片的漏電性能有負(fù)面影響，化學(xué)剝離可以減小芯片的漏電。

芯元基Micro LED芯片的亮度是主要競爭對手的2倍以上，產(chǎn)品性能國際領(lǐng)先，獲得了重復(fù)的研發(fā)訂單。芯元基成功地開發(fā)出了0.41 inch的單色Micro LED微顯示屏，在沒有進行Demura的情況下，顯示均勻性已經(jīng)達到同行同類產(chǎn)品Demura后的水平。芯元基在國內(nèi)首次點亮了4萬像素的矩陣車燈，在2024年6月上海國際車燈展會上，效果超過了國際大廠的展品。

芯元基的技術(shù)推動了Micro LED芯片的規(guī)?；慨a(chǎn)，用來生產(chǎn)Mini 薄膜倒裝LED芯片，由于省掉了襯底減薄，激光劃裂和裂片工序，芯片間不需要劃裂溝道，成本優(yōu)勢非常明顯。基于薄膜芯片的晶圓級封裝技術(shù)，能夠很好地發(fā)揮量子點的優(yōu)越性能，推動Mini LED背光技術(shù)的進一步發(fā)展。

GaN材料在電子功率和射頻芯片方面的優(yōu)勢也是無與倫比，芯元基的核心技術(shù)（DPSS襯底、側(cè)向外延生長技術(shù)、化學(xué)剝離襯底技術(shù)）可以很好的解決電子功率和射頻芯片的可靠性和散熱問題。

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