三星作為全球閃存芯片的龍頭企業(yè)，近日宣布計劃擴大其 NAND 閃存芯片的生產(chǎn)。三星計劃投資韓國平澤市工業(yè)園區(qū)的2號生產(chǎn)線以擴大產(chǎn)能，應(yīng)對因新冠疫情而擴大的生產(chǎn)電腦與服務(wù)器對芯片的需求。

據(jù)SamMobile消息，新工廠在前月已開始動工，三星表示閃存芯片的需求量會因5G、人工智能以及萬物互聯(lián)的發(fā)展而迅速增長，而新工廠 V-NAND 芯片的量產(chǎn)將會在 2021 年下半年開始。分析師表示，三星會為新工廠投資 7-8 萬億韓元（約合人民幣 407-465 億），建成后，這條生產(chǎn)線會滿足 NAND 閃存芯片的中期和長期需求。三星的平澤工業(yè)園區(qū)，已經(jīng)是世界其中兩條最龐大的閃存及內(nèi)存芯片生產(chǎn)線所在地。不過，隨著需求量的不斷擴大，三星仍然會對其進一步投資。

在過去18年，三星一直是存儲芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，他們最近還官宣了最新的存儲芯片技術(shù)——業(yè)內(nèi)首次多達160層的 V-NAND 閃存設(shè)計。它在擁有更高存儲容量的同時，芯片密度更高。

三星電子存儲全球營銷副總裁 Cheol Choi 表示：“這次投資，再次證明了我們在存儲技術(shù)領(lǐng)域所擁有的無可爭辯的領(lǐng)導(dǎo)地位。即使在不確定的時刻，我們依然會繼續(xù)為市場提供最佳的內(nèi)存及閃存解決方案，同時為整個 IT 行業(yè)和經(jīng)濟增長做出貢獻。”

至于后者，三星計劃將其位于韓國京畿道華城的 DRAM 生產(chǎn)線的其中一條轉(zhuǎn)產(chǎn)至生產(chǎn)感光元件，由于 DRAM 生產(chǎn)線與感光元件的生產(chǎn)流程有 80% 左右接近，因此用于生產(chǎn) DRAM 的材料以及相關(guān)設(shè)備均可用于生產(chǎn)感光元件。

本次轉(zhuǎn)產(chǎn)在新設(shè)備安裝測試后，最快將在今年開始量產(chǎn)，而三星需要為轉(zhuǎn)產(chǎn)花費 1 萬億韓元（約合人民幣 58 億）的成本。

來源：威鋒網(wǎng)