數(shù)據(jù)中心是云計算底層最核心的基礎設施，肩負著對數(shù)據(jù)進行集中存儲、計算和交換的職責。隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心正進一步演化成為智能數(shù)據(jù)中心，數(shù)據(jù)和計算量都在指數(shù)級增長，能源消耗也急劇增長，提升系統(tǒng)效率和降低能耗成為關(guān)鍵。

寬禁帶半導體（第三代半導體）氮化鎵（GaN）因其卓越的高頻高效低損耗特性，可以大大提升數(shù)據(jù)中心的供電效率并顯著降低能耗。英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者，始終致力于氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與創(chuàng)新。針對數(shù)據(jù)中心領域，開發(fā)了多系列分立和集成氮化鎵產(chǎn)品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。

1 應用于服務器電源的供電單元電源 (PSU)

服務器電源供應單元電源（Power Supply Unit, 簡稱PSU）

針對數(shù)據(jù)中心的前端輸入側(cè)——服務器電源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC環(huán)節(jié)，英諾賽科推出了15款功率器件、驅(qū)動芯片和合封芯片，打造鈦金能效的高效率、低功耗的PSU，實現(xiàn)服務器的穩(wěn)定性和可靠性。

2  應用于數(shù)據(jù)中心主板電源 (Mother board)

在數(shù)據(jù)中心的主板電源應用中，英諾賽科共有8款分立和集成芯片，滿足54—12V供電環(huán)節(jié)的高效率高功率密度需求。

3 產(chǎn)品優(yōu)勢

SolidGaN 是英諾賽科高集成度氮化鎵合封芯片，覆蓋電壓分別為100V和700V，具備集成過溫過流保護，集成米勒鉗位，兼容Si/SiC驅(qū)動，與當前通用產(chǎn)品相比，英諾賽科SolidGaN在系統(tǒng)中的應用更簡單，同時安全性更高，更可靠。

英諾賽科驅(qū)動產(chǎn)品 GaN Driver，分別涵蓋100V半橋和700V單通道，可用于驅(qū)動低側(cè)、高側(cè)或次級側(cè)氮化鎵開關(guān)管，與行業(yè)同類型產(chǎn)品對比，英諾賽科氮化鎵驅(qū)動器具備輸入電壓更寬，驅(qū)動能力更強，保護功能更多等優(yōu)勢；在實際方案中，可獨立調(diào)節(jié)驅(qū)動開關(guān)速度，應用更靈活。

在應用端，英諾賽科根據(jù)市場需求開發(fā)了多款應用方案，如符合鈦金能效的2KW-4.2KW PSU,  1KW-8KW的高效高功率密度的48V轉(zhuǎn)12V的DC-DC電源解決方案等，在市場端，英語賽科已經(jīng)與多家數(shù)據(jù)中心頭部廠商展開合作。

作為全球功率半導體革命的領導者，英諾賽科希望保持與行業(yè)上下游的緊密配合，共同打造更節(jié)能、高效、低碳化的數(shù)據(jù)中心，減少能源消耗，為可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。