此前公告顯示，乾照光電于2018年11月宣布擬出資15.97億元建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發(fā)生產項目，由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司負責承辦。

 

　　項目投產后，預測達產后年銷售收入96,628.29 萬元，達產年利潤總額23,690.91萬元，達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅后財務內部收益率為21.72%；投資回收期6.01年。

　　乾照光電表示，砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附于MOCVD進行外延生產，技術含量高；在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而相關國內廠商稀缺，國家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。

 

　　用砷化鎵制作的器件，具有高頻、高速和光電性能，主要用于通信產業(yè)。而第三代的材料氮化鎵屬于寬禁帶半導體材料，以其寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移率、化學性能穩(wěn)定等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

 

　　據了解，現階段，乾照光電主要有全色系LED外延片及芯片和三結砷化鎵太陽能電池外延片及芯片兩大類產品。

 

　　2019年，乾照光電在高端化合物半導體領域通過投資、孵化、內部研發(fā)等多種方式并舉，積極拓展激光芯片、VCSEL芯片、光通訊芯片等半導體產業(yè)機會。現VCSEL芯片產品已經實現小批量出貨，有望搶占3D感測的先機。此前乾照光電透露，公司目前的VCSEL芯片產品主要是根據客戶需求，按訂單生產，正在小批量出貨，已具備大規(guī)模量產和出貨相關產品的能力。

 

　　在紅黃光LED外延片及芯片領域，乾照光電現有MOCVD共42個腔；在藍綠光LED外延片及芯片領域，公司擁有MOCVD共155個腔（折K465I機型）。目前均已導入4寸片生產工藝，產能在原有基礎上有所提升，且外延片良率均不低于98%。

 

　　MiniLED部分，乾照光電在紅光MiniLED的良率和可靠性上投入了大量研發(fā)，目前MiniLED已實現規(guī)?；慨a，與各大終端客戶都在密切配合互動中。并且，公司MiniLED產品已承接訂單，預計下半年需求量將有增長，目前相關產品備貨充足。

 

　　至于Micro LED領域，乾照光電主要配合終端顯示客戶進行量產方案開發(fā)，開發(fā)了尺寸20μm~30μm的芯片并可實現小批量生產，工藝優(yōu)化與性能提升持續(xù)推進中。

 

　　未來，乾照光電將在鞏固紅黃光領域市場地位的同時，不斷提升藍綠光領域的核心競爭力。聚焦Mini/Micro LED顯示技術和紅外、植物照明等細分市場，并將積極跨入二三代半導體領域。