在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,三安光電(600703)再現(xiàn)大手筆投資。6月16日晚間,三安光電(600703)對(duì)外發(fā)布公告稱,公司計(jì)劃以現(xiàn)金投資160億元,在湖南省長沙成立子公司投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。
根據(jù)公告披露的信息,三安光電決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。
最新進(jìn)度顯示,6月15日,三安光電已與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。根據(jù)計(jì)劃,三安光電將在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。
對(duì)于具體開發(fā)建設(shè)的產(chǎn)品,三安光電方面表示,主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6寸SIC導(dǎo)電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對(duì)于此次投資,三安光電方面認(rèn)為:“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場需求,現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃,符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略,有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。”
事實(shí)上,近年來三安光電在半導(dǎo)體領(lǐng)域的“大手筆”投資一直備受業(yè)界關(guān)注。
2017年12月,總投資高達(dá)333億元的三安高端半導(dǎo)體系列項(xiàng)目在泉州市“泉州芯谷”南安園區(qū)啟動(dòng),該工程涵蓋高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化等七大項(xiàng)目。計(jì)劃五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)達(dá)產(chǎn),經(jīng)營期限不少于25年,將實(shí)現(xiàn)年銷售收入270億元、稅收30億元。經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng)記者獲得的最新消息顯示,目前,泉州三安項(xiàng)目購買的設(shè)備陸續(xù)到廠,已有部分設(shè)備安裝完成,進(jìn)入調(diào)試階段,待調(diào)試完成后將逐步釋放產(chǎn)能。
與在半導(dǎo)體領(lǐng)域投資的高飛猛進(jìn)相對(duì)應(yīng),是近年來三安光電在經(jīng)營業(yè)績上的承壓。受累于LED芯片市場價(jià)格戰(zhàn),特別是去年前三季度產(chǎn)品價(jià)格的大幅下滑,2019年,盡管三安光電在LED芯片領(lǐng)域銷售數(shù)量相比2018年同期保持增長,但業(yè)績卻出現(xiàn)大幅下滑。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,2019年三安光電實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入74.60億元,同比下降10.81%;歸屬于母公司股東的凈利潤為12.98 億元,同比下降54.12%。