近日，太極實(shí)業(yè)公司接到控股子公司信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）發(fā)來(lái)的通知，十一科技與江蘇仁奇科技有限公司（“江蘇仁奇”，項(xiàng)目業(yè)主）就江蘇仁奇發(fā)包的江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目簽訂了《EPC總承包工程合同》。
 

據(jù)披露，江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園區(qū)投資建設(shè)項(xiàng)目擬利用2年時(shí)間，在泗陽(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)建成一個(gè)涵蓋芯片制造、封測(cè)、研發(fā)的產(chǎn)業(yè)化基地，形成年產(chǎn)6英寸0.25um芯片線60萬(wàn)片，年封測(cè)10億顆的生產(chǎn)能力。

江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目EPC總承包工程的金額達(dá)10.886億元（含稅價(jià)），總工期為30個(gè)月（開(kāi)工日期以發(fā)包人的開(kāi)工令為準(zhǔn)），工程承包范圍：為本項(xiàng)目提供EPC服務(wù)，包括本項(xiàng)目的設(shè)計(jì)、施工、協(xié)助招標(biāo)人與政府相關(guān)職能部門(mén)協(xié)調(diào)、用戶交接以及項(xiàng)目施工前的各項(xiàng)手續(xù)的辦理和項(xiàng)目完成后各項(xiàng)竣工驗(yàn)收的全過(guò)程服務(wù)及相應(yīng)的保修服務(wù)。本項(xiàng)目未包含需業(yè)主另行支付的生產(chǎn)工藝設(shè)備、監(jiān)理費(fèi)、試生產(chǎn)費(fèi)用、建設(shè)單位管理費(fèi)、其他前期工作、廠區(qū)高壓變電站、供電外線費(fèi)、大宗氣站及氣站設(shè)備、辦公家具、二次配管配線等。
 

太極實(shí)業(yè)表示，合同的簽訂體現(xiàn)了子公司十一科技在集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的EPC領(lǐng)先地位，合同的履行將對(duì)公司的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極影響。
 

據(jù)天眼查獲悉，這家公司2019-08-30成立，注冊(cè)資本50000萬(wàn)人民幣，注冊(cè)地址宿遷市泗陽(yáng)縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)浙江路36號(hào)。

此前泗陽(yáng)人民政府公告，江蘇仁奇科技有限公司年產(chǎn)18萬(wàn)片GaAs、年封測(cè)13億片集成電路建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表的批復(fù)，這么說(shuō)仁奇科技布局應(yīng)該就是化合物半導(dǎo)體砷化鎵項(xiàng)目。建設(shè)地點(diǎn)應(yīng)該就是江蘇泗陽(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)太湖路東側(cè)、浙江路北側(cè)。

5月泗陽(yáng)人才信息網(wǎng)，江蘇仁奇科技有限公司公布的招聘信息，獲悉，目前共招聘建廠預(yù)算員和工程手續(xù)員，那么江蘇仁奇科技有限公司應(yīng)該最近要開(kāi)始廠房建設(shè)，根據(jù)十一科技近日公布最新消息，那么我們有理由相信此項(xiàng)目應(yīng)該在近期就會(huì)開(kāi)始建設(shè)，你怎么看呢？
 

另外，此次建設(shè)的半導(dǎo)體化合物GaAs，又是一個(gè)什么情況？
 

GaAs半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：參與者多為Skyworks、Qorvo、Avago等國(guó)外IDM廠商。
 

襯底制備、外延片方面，日本處于領(lǐng)先地位。晶圓制備方面，全球GaAs襯底出貨量將保持較強(qiáng)的增長(zhǎng)趨勢(shì)，預(yù)計(jì)2023年年出貨量將從目前的170萬(wàn)片上升到400萬(wàn)片。當(dāng)前，住友電工、Freiberger、日立電纜、以及ATX四家企業(yè)采用國(guó)際先進(jìn)的液封直拉法（LEC）和垂直梯度凝固法（VGF），襯底直徑最大可達(dá)6英寸，占據(jù)了90%以上的國(guó)際市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)企業(yè)如中科晶電、中科鎵英等企業(yè)所制備的GaAs襯底普遍在2英寸到4英寸之間，部分企業(yè)仍采取較為落后的水平布里其曼法（HB），晶體質(zhì)量較差。
 

制造代工方面，目前制造產(chǎn)能主要分布在IDM廠商和代工廠中，且代工廠的市場(chǎng)占比正不斷提高，其中臺(tái)灣地區(qū)的穩(wěn)懋占據(jù)GaAs晶圓代工市場(chǎng)三分之二以上。產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面，射頻器件由國(guó)外IDM廠商壟斷，我國(guó)在光電器件領(lǐng)域具備一定競(jìng)爭(zhēng)力，目前已占全球LED市場(chǎng)近20%的份額。

GaN技術(shù)：難點(diǎn)在于晶圓制備工藝，歐美日在此方面優(yōu)勢(shì)明顯，我國(guó)則以軍工應(yīng)用為主，產(chǎn)能略有不足。
 

由于將GaN晶體熔融所需氣壓極高，因此無(wú)法通過(guò)從熔融液中結(jié)晶的方法生長(zhǎng)單晶，須采用外延技術(shù)生長(zhǎng)GaN晶體來(lái)制備晶圓。目前最為主流的方法是氫化物氣沉積法，住友電工、三菱化學(xué)等企業(yè)均采用此法，其中日本住友電工是全球最大GaN晶圓生產(chǎn)商，占據(jù)了90%以上的市場(chǎng)份額。
 

我國(guó)在GaN晶圓制造方面已經(jīng)有所突破，蘇州納維公司的2英寸襯底片年產(chǎn)能已達(dá)到1500片，4英寸襯底已推出產(chǎn)品，目前正在開(kāi)展6英寸襯底片研發(fā)。GaN外延片根據(jù)襯底材料的不同，可分為基于藍(lán)寶石、Si襯底、SiC以及GaN四種，分別用于LED、電力電子、射頻以及激光器，其晶體質(zhì)量依次提升，成本依次升高。