張波教授表示，功率芯片是非常適合發(fā)揮我國(guó)比較優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)業(yè)，功率芯片是最有可能率先突破，趕上國(guó)際先進(jìn)水平的細(xì)分行業(yè)之一。早在2003年，中國(guó)工程院許居衍院士在吉林華微主辦的功率半導(dǎo)體發(fā)展研討會(huì)上，就提出功率半導(dǎo)體是最適合中國(guó)人發(fā)力的領(lǐng)域。

 

功率半導(dǎo)體是進(jìn)行功率（電能）處理（管理）的半導(dǎo)體器件。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣泛，從幾十毫瓦的便攜式設(shè)備，到上千兆瓦的高壓直流傳輸過(guò)程；從儲(chǔ)能、家電，到IT 產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)通訊，只要是涉及電的領(lǐng)域，都存在它的身影。

 

不同功率半導(dǎo)體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會(huì)不同。實(shí)際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來(lái)選用合適的器件。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類(lèi)型，同時(shí)，SiC和硅基GaN等新材料功率半導(dǎo)體器件最近又得到迅速發(fā)展。

由于功率半導(dǎo)體芯片在人類(lèi)社會(huì)的進(jìn)步中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，所以功率半導(dǎo)體芯片的市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)IHS iSuppli的數(shù)據(jù)，功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模從2001年的115億美元成長(zhǎng)至2018年466億美元，年均復(fù)合成長(zhǎng)8.1%。

 

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)受存儲(chǔ)器芯片價(jià)格大起大落的影響而出現(xiàn)波動(dòng)，但功率半導(dǎo)體整體一直保持平穩(wěn)發(fā)展，且在全球半導(dǎo)體整體市場(chǎng)份額中占比呈現(xiàn)持續(xù)上升趨勢(shì)，功率半導(dǎo)體的占比從2011年的8.27%上升至近年來(lái)的10%左右。

 

從需求端來(lái)看，中國(guó)作為制造大國(guó)，擁有全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。據(jù)Yole Development數(shù)據(jù)，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在全球占比高達(dá)39%，居第一位；從供給端來(lái)看，我國(guó)僅占有不足全球10%的市場(chǎng)份額。如此看來(lái)，我國(guó)功率半導(dǎo)體呈供需嚴(yán)重不匹配的格局，且國(guó)內(nèi)以低端產(chǎn)品為主。究其原因，張波教授認(rèn)為，這主要是因?yàn)橄到y(tǒng)廠商給國(guó)產(chǎn)芯片廠商試錯(cuò)迭代的機(jī)會(huì)太少。

 

同時(shí)功率半導(dǎo)體器件研制不僅要考慮器件特性，還有考慮應(yīng)用環(huán)境。要根據(jù)應(yīng)用去設(shè)計(jì)器件特性，可以稱(chēng)之為超越器件（More than Devices）。

特色工藝的另一個(gè)特點(diǎn)是由于許多特色工藝產(chǎn)品與應(yīng)用場(chǎng)景密切相關(guān)，因此工藝平臺(tái)繁多、產(chǎn)品種類(lèi)龐雜，多種工藝平臺(tái)共存，同一類(lèi)器件品種還多，英飛凌在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中就有15個(gè)分類(lèi)。而在其中的功率MOS中就有2497個(gè)產(chǎn)品，而在2018年11月是3315個(gè)產(chǎn)品。而德州儀器在電源管理方面有多達(dá)6983個(gè)產(chǎn)品。

 

長(zhǎng)期以來(lái)，集成度的提升靠的是集成電路工藝線寬的縮小，這是一維方向的堅(jiān)持發(fā)展。但隨著線寬的持續(xù)降低，半導(dǎo)體工藝發(fā)展到納米尺度，帶來(lái)無(wú)論是建廠成本、工藝研發(fā)還是產(chǎn)品研制費(fèi)用的急劇增加，集成電路工藝技術(shù)逐漸從單一追求尺寸依賴(lài)的先進(jìn)工藝，向尺寸依賴(lài)的先進(jìn)工藝（More Moore）、非尺寸依賴(lài)的特色工藝（More than Moore）和先進(jìn)封裝三個(gè)維度并舉發(fā)展。

 

尺寸依賴(lài)的先進(jìn)工藝投入巨大，是一個(gè)龐大的吞金獸，動(dòng)輒就是1、2百億美元。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在5nm節(jié)點(diǎn)，將投資250億美元發(fā)展5nm制程，2020年量產(chǎn)；3nm項(xiàng)目投資超過(guò)6000億新臺(tái)幣，約為194億美元，2020年開(kāi)始建廠，2021年完成設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)2022年底到2023年初量產(chǎn)。三星電子對(duì)現(xiàn)有的芯片工藝路線圖進(jìn)行了調(diào)整，或直接取消此前用于過(guò)渡的4nm，由5nm制程工藝直接上升至3nm。根據(jù)公開(kāi)市場(chǎng)數(shù)據(jù)，3nm芯片的設(shè)計(jì)費(fèi)用約達(dá)5-15億美元，興建一條3nm產(chǎn)線的成本約為150-200億美元。

 

而在功率半導(dǎo)體方面，意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的BCD工藝也只是65nm，我國(guó)株洲中車(chē)所生產(chǎn)出滿(mǎn)足軌道交通應(yīng)用的IGBT芯片的生產(chǎn)線也只是8英寸0.35微米，這和7nm、5nm工藝相比，投資力度小的多，工藝難度也小的多。同時(shí)，相對(duì)于先進(jìn)工藝，經(jīng)過(guò)幾代炎黃子孫的努力，我國(guó)功率半導(dǎo)體以具備相對(duì)良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

 

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品屬于模擬器件范疇，產(chǎn)品性能與應(yīng)用場(chǎng)景密切相關(guān)。也正是因?yàn)檫@種產(chǎn)品屬性，特色工藝產(chǎn)品往往無(wú)法形成壟斷企業(yè)。即使功率半導(dǎo)體分立器件老大，德國(guó)英飛凌公司收購(gòu)了美國(guó)IR公司，其市場(chǎng)占有率也不到20%，安森美收購(gòu)了Failchild，其市場(chǎng)占有率也只有9%。全球前十大功率半導(dǎo)體分立器件廠商加起來(lái)也只占據(jù)60%左右的市場(chǎng)。

 

但由于多種原因，我們看到，在功率半導(dǎo)體分立器件的前十大企業(yè)中，沒(méi)有一家中國(guó)公司，這一方面是我們行業(yè)的悲哀，同時(shí)也是機(jī)遇，是我們國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)遇。40%的市場(chǎng)被其它公司所占據(jù)，功率半導(dǎo)體由于其自有屬性，沒(méi)有一家壟斷企業(yè)，這就給小企業(yè)和后來(lái)者留下了足夠的發(fā)展空間。

 

隨著中美科技較量短兵相接，2020年兩會(huì)上人大代表和政協(xié)委員關(guān)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的提案和建議備受矚目。其中民進(jìn)中央提交了“關(guān)于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”引起巨大反響。隨著工業(yè)、汽車(chē)、無(wú)線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國(guó)功率半導(dǎo)體有龐大的市場(chǎng)需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國(guó)家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國(guó)芯”的最好突破口。國(guó)家正大力發(fā)展的新基建又為功率半導(dǎo)體提供了新的增量空間。

 

5G通訊是新基建的重要組成部分，但5G基站的能耗是4G的3倍多，這就對(duì)進(jìn)行能量處理的功率半導(dǎo)體提出了更高需求，5G基站希望上架、去油、去鉛，這需要大量的高效的功率半導(dǎo)體芯片進(jìn)行能量管理。智能手機(jī)的功能越來(lái)越強(qiáng)大，在其變得輕薄的同時(shí)，用戶(hù)希望待機(jī)時(shí)間更；新能源汽車(chē)的一個(gè)核心指標(biāo)就是續(xù)航里程，在電池沒(méi)有革命性進(jìn)展以前，功率半導(dǎo)體芯片在手機(jī)待機(jī)和新能源汽車(chē)?yán)m(xù)航里程改善方面發(fā)揮著重要作用。

 

綜上所述，從市場(chǎng)、產(chǎn)品屬性和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)等多方因素分析，功率芯片將是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的重要突破口。