隨著5G、電動車等科技加速發(fā)展，功率半導體需求隨之升溫。著眼于第三代半導體材料碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的發(fā)展?jié)摿?，環(huán)球晶(6488)于7月27日與臺灣交通大學正式簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發(fā)第三代半導體材料包含但不限于6吋~8吋碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，期能快速建立臺灣地區(qū)的化合物半導體產業(yè)鏈。
 

環(huán)球晶圓母公司中美硅晶榮譽董事長盧明光表示「碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是非常具有發(fā)展前景的半導體材料，在下一波產業(yè)5G、電動車.....高功率發(fā)電、高頻率的運用上是最關鍵的要素」，并特別強調「世界各國都視碳化硅(SiC)為國家戰(zhàn)略發(fā)展之原料及技術，與國立交通大學成立化合物半導體研究中心，是一個強強結盟的重要起步?！?br />  

國立交通大學代理校長陳信宏表示：「國立交通大學引領臺灣地區(qū)半導體研究之先，例如臺灣地區(qū)第一片硅晶圓是在交大實驗室完成的。交大結合校友力量，協(xié)助學校推動尖端研究，期望五至十年能有三至五個領域達到世界第一的目標，進而成就『偉大大學』之愿景?！乖诒狙芯恐行?，交大團隊將整合跨尺度學理研究特色，并結合環(huán)球晶圓生產制程相關獨特技術，整合理論與實務共同開發(fā)創(chuàng)新之高產能相關化合物半導體晶圓制造技術，以制造大尺寸、高質量、低缺陷晶圓為目標。
 

相較于傳統(tǒng)的半導體硅材料，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這類寬能隙元件具有優(yōu)異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗；出色的性能適合在高溫高電流環(huán)境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導；其散熱性能優(yōu)越，且高飽和電流適用于快速充電，這些卓越的特性適用在5G通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域，深具市場潛力，被視為功率半導體元件的明日之星。
 

環(huán)球晶圓長期布局化合物半導體材料，具有優(yōu)秀的研發(fā)團隊與關鍵的專利技術；國立交通大學深耕半導體尖端研究已久，擁有豐沛技術能量與優(yōu)秀研發(fā)人才，透過共同合作建立化合物半導體研究中心，可藉由產學合作整合并放大研究能量，快速將研發(fā)成果導入產業(yè)應用，提高臺灣地區(qū)化合物半導體產業(yè)鏈能見度，并藉此建立未來領先優(yōu)勢。