美國化合物大廠Cree近日在其官方公眾號(hào)宣布,公司于去年9月宣布將在美國紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進(jìn)技術(shù)并滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的 200 mm 碳化硅(SiC)功率和射頻(RF)制造工廠。而現(xiàn)在,該工廠目前已經(jīng)完成基礎(chǔ)工程施工,并開始主體工程施工。
Cree表示,這一新制造工廠旨在顯著提升用于 Wolfspeed 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)業(yè)務(wù)的產(chǎn)能,將建設(shè)成為一座規(guī)模龐大、高度自動(dòng)化且具備更高生產(chǎn)能力的工廠。這一位于紐約州的先進(jìn) fab,和位于北卡羅萊納州的超級(jí)材料工廠(mega materials factory),將創(chuàng)建在美國東海岸的碳化硅(SiC)走廊,推進(jìn)碳化硅(SiC)被更為快速地采用。
Cree將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能
去年五月,Cree方面宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級(jí)工廠。這項(xiàng)標(biāo)志著公司迄今為止最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務(wù)提供動(dòng)能。在2024年全部完工之后,這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能,使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。
Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對(duì)于SiC碳化硅的需求。今天,我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資,將大幅地提升供應(yīng),幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年第一季度(也就是我們開始擴(kuò)大產(chǎn)能的第一階段)相比較,能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在δ來5年乃至更長遠(yuǎn)的預(yù)期增長。”
這項(xiàng)計(jì)劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施,作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠,邁出滿足預(yù)期市場需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計(jì)成能夠全面滿足汽車認(rèn)證的工廠,其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會(huì)是今天現(xiàn)有的18倍,剛開始階段將進(jìn)行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達(dá)勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣?jí)工廠。
Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時(shí)還表示:“這些SiC碳化硅制造超級(jí)工廠,將加速當(dāng)今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案,幫助提高EV電動(dòng)汽車的行駛里程并減少充電時(shí)間,同時(shí)支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資,也是一種在財(cái)政上負(fù)責(zé)任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具,我們相信我們可以實(shí)現(xiàn)提供最先進(jìn)技術(shù)的200mm fab,并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”
擴(kuò)大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機(jī)會(huì),并提供先進(jìn)制造人才發(fā)展計(jì)劃。Cree計(jì)劃與州、當(dāng)?shù)睾退哪曛圃盒i_展培訓(xùn)項(xiàng)目,為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機(jī)遇提供人才儲(chǔ)備。
羅姆和昭和電工也在擴(kuò)充SiC產(chǎn)能
羅姆在早前發(fā)布新聞稿宣稱,將擴(kuò)增使用于電動(dòng)車 (EV) 等用途的碳化硅 (SiC) 電源控制芯片產(chǎn)能,將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠 (福岡縣) 內(nèi)興建新廠房,預(yù)計(jì)于 2019 年 2 月動(dòng)工、2020 年 12 月完工。此外,羅姆于 SiC 電源控制芯片事業(yè)策略說明會(huì)上表示,將投資約 200 億日?qǐng)A,于 2020 年倍增 SiC 電源控制芯片產(chǎn)能,而羅姆也考慮于宮崎縣進(jìn)行增產(chǎn)投資,在 2025 年 3 月底前累計(jì)將投資 600 億日?qǐng)A,屆時(shí)將 SiC 電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴(kuò)增至 2016 年度 16 倍。
另外,日本昭和電工也多次發(fā)表了產(chǎn)能擴(kuò)充聲明。該公司之前分別于 2017 年 9 月、2018 年 1 月宣布增產(chǎn) SiC 晶圓,不過因 SiC 制電源控制晶片市場急速成長、為了因應(yīng)來自顧客端旺盛的需求,因此決定對(duì) SiC 晶圓進(jìn)行第 3 度的增產(chǎn)投資。昭和電工 SiC 晶圓月產(chǎn)能甫于 2018 年 4 月從 3,000 片提高至 5,000 片 (第 1 次增產(chǎn)),且將在2019年 9 月進(jìn)一步提高至 7,000 片 (第 2 次增產(chǎn)),而進(jìn)行第 3 度增產(chǎn)投資后,將在 2019 年 2 月擴(kuò)增至 9,000 片的水準(zhǔn)、達(dá)現(xiàn)行 (5,000 片) 的 1.8 倍。
除了晶圓供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn),下游的代工廠也在加速布局,迎接即將爆發(fā)的 SiC 熱潮。
X-Fab 在去年九月宣布,計(jì)劃將其位于德克薩斯州 6 英寸 SiC 工藝工廠產(chǎn)能翻番,以滿足客戶對(duì)高效功率半導(dǎo)體器件日益增長的需求。為了使容量翻倍,X-Fab德州工廠購買了第二臺(tái)加熱離子注入機(jī),用于制造 6 英寸 SiC 晶圓。預(yù)計(jì)到在 2019 年第一季度及時(shí)生產(chǎn),以滿足預(yù)計(jì)的近期需求。
X-Fab 德州工廠的 Lloyd Whetzel 說:“隨著 SiC 的日益普及,我們?cè)缇兔靼?,提高離子注入能力是我們?cè)?SiC 市場上的持續(xù)制造成功的關(guān)鍵。但這只是我們針對(duì)特定 SiC 制造工藝改進(jìn)的總體資本計(jì)劃的第一步。這體現(xiàn)了 X-Fab 對(duì) SiC 行業(yè)的承諾,并保持我們?cè)?SiC 鑄造業(yè)務(wù)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
來自臺(tái)灣地區(qū)的晶圓代工廠漢磊在去年八月也宣布,決定擴(kuò)大碳化硅(SiC)產(chǎn)能,董事會(huì)決議斥資 3.4 億元新建置 6 吋 SiC 生產(chǎn)線,為臺(tái)灣地區(qū)第一家率先擴(kuò)增 SiC 產(chǎn)能的代工廠,預(yù)計(jì)明年下半年可以展開試產(chǎn)。據(jù)了解,漢磊目前已建立 4 吋 SiC 制程月產(chǎn)能約 1500 片,預(yù)計(jì)將現(xiàn)有 6 吋晶圓廠部分生產(chǎn)線改為 SiC 制程生產(chǎn)線,先把制程建立起來,以滿足車載、工控產(chǎn)品等客戶強(qiáng)勁需求,因 6 吋的 SiC 售價(jià)達(dá) 4000 美元(約 12 萬臺(tái)幣),估計(jì)每月只要產(chǎn)出 2000 到 3000 片,帶動(dòng)營收就可望增加 2、3 億元以上。
芯片廠方面,意法半導(dǎo)體、羅姆、英飛凌和力特等廠商都在卯足勁擴(kuò)充自己的勢力,這個(gè)市場的一場角逐大戰(zhàn),必將打響。