根據(jù)旗下半導體研究處表示，2020年初在Server DRAM價格強勢領漲的帶動下，各類DRAM價格正式翻揚；即便新冠肺炎疫情在第二季開始蔓延全球，但采購端因擔憂零部件斷貨，并未減少原本預估的訂單量，使DRAM供應商出貨量優(yōu)于預期，進一步激勵整體DRAM價格漲幅擴大，推升第二季DRAM總產值至171億美元，季成長15.4%。

TrendForce集邦咨詢并指出，經過連續(xù)兩季的拉貨后，Server業(yè)者庫存水位已逐漸攀升，在整體經濟仍處低潮的情況下，以Enterprise Server為首的采購動能開始轉趨保守。在DRAM產業(yè)由Server領漲領跌的趨勢下，恐帶動其他產品價格一并反轉向下。因此預估第三季將出現(xiàn)量平價跌走勢，DRAM原廠獲利能力將轉弱。

第二季DRAM價格漲幅擴大，拉升三大DRAM原廠營收與市占

觀察三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三大DRAM原廠營收表現(xiàn)，第二季走勢一致且無明顯變動，在DRAM量價齊揚帶動下，營收成長皆突破雙位數(shù)；而各家市占除三大巨頭以外，其他廠商占比合計僅5%。然第三季由于適逢美光財務年底，推測其會較積極降價求量，可能使市占小幅上揚，但三大廠整體格局仍不受影響。

第二季DRAM整體均價大致上升約10%(受各家產品比重與財務會計區(qū)間不同而有所差異)，因此各家獲利皆呈現(xiàn)上揚走勢。以三星而言，營業(yè)利益率自第一季32%攀升至41%，突破四成水平；SK海力士因Server DRAM比重高，加上價格漲幅劇烈，營業(yè)利益率達35%。美光本次財報區(qū)間(3月至5月)的報價漲幅小于韓系廠，因此營業(yè)利益率受益有限，僅由上季的16%上升至21%。預期第三季原廠成本優(yōu)化的速度較難以支撐報價下滑，獲利恐面臨壓力。

疫情導致需求端狀況不明，DRAM原廠謹慎規(guī)劃明年產能

從技術發(fā)展來看，第二季三星持續(xù)將Line 13部分產能由DRAM轉向CIS(圖像傳感器)，并準備啟動平澤二廠P2L，預計下半年投入DRAM生產，在彌補Line 13投片下滑的同時，也開始拉高1Znm制程比重。SK海力士M10廠DRAM投片持續(xù)轉向CIS，同時增加M14產出；下半年將小幅提高無錫廠的產能，全年DRAM位元增加主要來自于1Ynm制程比重提升。

美光今年仍著重在1Znm制程的量產與產出比重的拉升，當前適逢量產初期且部分OEM處于產品驗證階段，因此1Znm占比不高。預計隨著驗證通過，1Znm將成為該公司主推制程，而總產能方面則與去年大致相同。整體而言，今年三大DRAM原廠皆審慎擴增產能，加上疫情對需求端帶來的低潮尚未解除，預估明年位元成長仍有近七成來自1Ynm與1Znm的先進制程轉換；而廠房擴增的產能增加僅占三成。

臺系廠商專研先進制程與產品改良，整體表現(xiàn)量價齊揚

觀察臺廠方面表現(xiàn)，南亞科(Nanya Tech)出貨量與均價皆呈現(xiàn)約7%漲幅，使其第二季營收較前一季增加15%；而受惠于報價走升其營業(yè)利益率來到19.6%。華邦(Winbond)受到長約效應影響，價格成長幅度僅0.5%，相較DRAM營收，F(xiàn)lash成長動能較顯著。力積電(Powerchip)營收僅計自家生產之標準型DRAM產品，第二季因PMIC(電源管理IC)、Driver IC等邏輯產品需求暢旺，導致DRAM產能限縮，因此DRAM營收僅約略持平。

三家臺廠在第二季皆專注在下一代制程的研發(fā)，如南亞科積極專研1A/1Bnm，期望盡快導入試產；華邦持續(xù)提升新制程25nm的良率，而產能擴建傾向以Flash為主；力積電則在25nm DDR4產品改良的同時，以代工邏輯產品為公司之營運重心。

文稿來源：集邦咨詢