11月3日早盤第三代半導(dǎo)體再度走強(qiáng)，前期龍頭聚燦光電拉升封板，派瑞股份、干照光電漲逾10%，新潔能、易事特、華燦光電、臺(tái)基股份等多股紛紛跟漲。板塊內(nèi)30只成分股悉數(shù)收紅，無(wú)一只個(gè)股下跌，板塊總體漲幅達(dá)5.3%。
值得注意的是，聚燦光電今日漲停也是該股自9月15日見頂以后，時(shí)隔近一個(gè)半月后再次錄得漲停。此外，在前期炒作中表現(xiàn)比較突出的干照光電、臺(tái)基股份、露笑科技等，今日也均有不錯(cuò)表現(xiàn)。
從三季報(bào)看，半導(dǎo)體業(yè)績(jī)維持高增速，行業(yè)景氣度在延續(xù)。在經(jīng)過幾個(gè)月的深幅調(diào)整后，半導(dǎo)體板塊調(diào)整充分，上半年過度上漲帶來(lái)的高估值壓力，也得到了一定程度的消化。有市場(chǎng)人士分析，今日第三代半導(dǎo)體表現(xiàn)突出，主要是本次十四五規(guī)劃發(fā)布之前，半導(dǎo)體板塊并沒有像新能源板塊那樣被提前炒作，股價(jià)經(jīng)過了明顯的調(diào)整，調(diào)整時(shí)間基本都在一個(gè)半月之上。因此，周五在大盤大跌時(shí)反而異軍突起，兆易創(chuàng)新等領(lǐng)漲股兩天累計(jì)漲幅已近20%，在此背景下第三代半導(dǎo)體今日順勢(shì)爆發(fā)，這表明目前有資金在做高低切換。
LED大漲 機(jī)構(gòu)看好Mini LED
從今日第三代半導(dǎo)體板塊內(nèi)漲幅居前的個(gè)股中不難看出，例如聚燦光電、干照光電、華燦光電等均為L(zhǎng)ED概念股。第三代半導(dǎo)體成為今日市場(chǎng)熱點(diǎn)，為什么疊加LED概念的股漲幅靠前，兩者之間有何聯(lián)系？
事實(shí)上，第三代半導(dǎo)體是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。其中，氮化鎵材料廣泛應(yīng)用于光電子器件，LED照明是典型的應(yīng)用領(lǐng)域。干照光電于今年2月在互動(dòng)易披露，公司與深圳第三代半導(dǎo)體研究院的合作是全方位多層次的深度合作，在該平臺(tái)上研發(fā)的技術(shù)包括但不僅限于氮化鎵和Micro-LED。
對(duì)此，有機(jī)構(gòu)人士表示，機(jī)構(gòu)看好Mini LED加速爆發(fā)機(jī)遇。高工LED預(yù)測(cè)，我國(guó)Mini LED應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模在2018年僅3億元，2020年預(yù)計(jì)達(dá)到22億元。
2029年市場(chǎng)規(guī)模將超50億美元
第三代半導(dǎo)體的火爆，主要是受到兩方面因素的共同催化，一方面，受國(guó)家政策面影響，中國(guó)將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中；另一方面，當(dāng)前國(guó)內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好，支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績(jī)。
在我國(guó)發(fā)力“新基建”的背景下，第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月，國(guó)家發(fā)改委首次官宣“新基建”的范圍，正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等七大領(lǐng)域的發(fā)展方向。而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為首的第三代半導(dǎo)體是支持“新基建”的核心材料。比如，以氮化鎵(GaN)為核心的射頻半導(dǎo)體，支撐著5G基站及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設(shè)；以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體，支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè)。
根據(jù)Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報(bào)告》顯示，2018年，全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的銷售收入為5.71億美元，預(yù)計(jì)到2020年底增至8.54億美元。未來(lái)十年將保持年均兩位數(shù)增長(zhǎng)率，到2029年將超過50億美元。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，到2024年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元，其中，汽車市場(chǎng)占SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)比重到2024年預(yù)計(jì)將達(dá)50%。
第三代半導(dǎo)體帶來(lái)彎道超車機(jī)會(huì)
在業(yè)內(nèi)人士看來(lái)，第三代半導(dǎo)體更重要的意義是在功率器件領(lǐng)域，通過其特殊的材料特性，改進(jìn)相關(guān)芯片及器件性能。
相較于第一代（硅、鍺為代表）、第二代（砷化鎵、磷化銦為代表）半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，具有應(yīng)用于光電器件、微波射頻器件、電力電子器件等的先天性能優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、量子計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通信設(shè)備和基站、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。
隨著第三代半導(dǎo)體應(yīng)用需求攀升，國(guó)際巨頭近年來(lái)也通過并購(gòu)以及擴(kuò)產(chǎn)來(lái)鞏固自身優(yōu)勢(shì)。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì)，2019年國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域共有包括英飛凌、羅姆、意法半導(dǎo)體等企業(yè)通過并購(gòu)?fù)七M(jìn)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，材料、器件及模組標(biāo)的均有涉及，整體涉及金額超過100億美元。
方正證券研報(bào)表示，第三代半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。先發(fā)優(yōu)勢(shì)是半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn)，Cree高市占率也印證了先發(fā)優(yōu)勢(shì)的重要性。相較于Si，國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)SiC研究起步時(shí)間與國(guó)外廠商相差不多，因此國(guó)產(chǎn)廠商有希望追上國(guó)外廠商，完成國(guó)產(chǎn)替代。
國(guó)信證券研報(bào)中也表示第三代半導(dǎo)體是中國(guó)大陸半導(dǎo)體的希望，并解釋了原因：
第一，第三代半導(dǎo)體相比較第一代第二代半導(dǎo)體處于發(fā)展初期，國(guó)內(nèi)和國(guó)際巨頭基本處于同一起跑線。
第二，中國(guó)有第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用市場(chǎng)，我們可以根據(jù)市場(chǎng)定義產(chǎn)品，而不是像以前跟著國(guó)際巨頭做國(guó)產(chǎn)化替代。
第三，第三代半導(dǎo)體難點(diǎn)不在設(shè)備、不在邏輯電路設(shè)計(jì)，而在于工藝，工藝開發(fā)具有偶然性，相比較邏輯芯片難度降低。
第四，對(duì)設(shè)備要求相對(duì)較低，投資額小，國(guó)內(nèi)可以有很多玩家。在資本的推動(dòng)下，可以全國(guó)遍地開花，最終走出來(lái)幾家第三代半導(dǎo)體公司的概率很大。
