據(jù)重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義表示，目前實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電源、數(shù)據(jù)中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點(diǎn)。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項(xiàng)目已經(jīng)到了試驗(yàn)性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。