11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。
25日下午，功率電子器件及封裝技術分會碳化硅專場如期舉行。本屆分會由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦。
分會期間，日本豐田汽車公司功率半導體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會主席濱田公守，中電科五十五所教授級高工、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松，廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長邱宇峰，浙江大學特聘副研究員任娜，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖，重慶大學電氣工程學院副教授曾正，華北電力大學副教授李學寶，深圳第三代半導體研究院研究員楊安麗等來自國內外科研院所、企業(yè)的精英代表帶來精彩報告，分享前沿研究成果。浙江大學特聘教授，電氣工程學院院長盛況和廣東晶科電子股份有限公司董事長兼總裁肖國偉共同主持了本屆分會。
日本豐田汽車公司功率半導體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會主席濱田公守帶來了超窄體（UNB）MOSFET”和“接地窄而深p（GND）MOSFET”的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結構“ 的主題報告，分享了最新的研究成果。
中電科五十五所高級工程師李士顏博士分享了碳化硅功率MOSFET研究進展，包括當前市場及應用，發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢、關鍵技術等內容，報告指出，國際上SiC電力電子器件技術處于快速發(fā)展期，快速推進新能源汽車等領域的批量應用。國基南方SiC G1DMOS技術初步建立，正在進行650-1700V產(chǎn)品的市場推廣，提升穩(wěn)定供貨能力。
廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長邱宇峰帶來了“碳化硅功率半導體器件在電力系統(tǒng)的應用”的主題報告，其中，報告指出，能源革命促進了電力電子裝備在電網(wǎng)的廣泛應用，進而從根本上改變電網(wǎng)形態(tài)；功率半導體器件的發(fā)展是推動力電網(wǎng)電力電子裝備演進關鍵因素；碳化硅器件具有高結溫、高電壓、高頻的特點，非常適合電網(wǎng)應用，其廣泛應用將推動電網(wǎng)的電力電子化進程；碳化硅器件已在電網(wǎng)中低壓場景得到了廣泛應用，可提顯著升裝置效率、功率密度等關鍵指標；高壓大功率碳化硅器件研制仍需突破電流密度、大尺寸襯底外延、低寄生參數(shù)封裝，成品率等問題。
浙江大學特聘副研究員任娜帶來了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究，分享了近期研究成果介紹，并分享了具體的SiC器件可靠性提升方法。
賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖分享了用于SiC功率器件的先進封裝解決方案，報告指出，每片芯片面積功率密度的增加需要散熱性更好的材料；功率越大，包裝材料的載流能力越強；工作溫度升高導致可靠性挑戰(zhàn)。
重慶大學電氣工程學院副教授曾正分享了碳化硅功率模塊的先進封裝測試技術的最新進展，報告指出，功率半導體行業(yè)涉及跨學科交叉，包括很長的產(chǎn)業(yè)鏈，是復雜的系統(tǒng)工程，環(huán)環(huán)相扣，晶圓材料、芯片制造、封裝測試、應用集成等缺一不可；先進封裝技術是發(fā)揮SiC器件優(yōu)異性能的關鍵；先進測試技術是表征SiC器件電熱性能的關鍵；急需產(chǎn)-學-研的協(xié)同創(chuàng)新，人才、資本、技術和市場的有機整合。
華北電力大學副教授李學寶帶來了“高壓SiC器件封裝絕緣問題及面臨的挑戰(zhàn)”的主題報告，介紹了正極性方波下封裝材料的沿面放電特性、封裝用硅凝膠在寬溫度范圍內的絕緣特性、正極性重復脈沖電壓下電場動態(tài)特性分析。
深圳第三代半導體研究院研究員楊安麗分享了抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設計的研究成果。
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