25日上午，由華燦光電股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術(shù)”分會(huì)如期舉行。分會(huì)期間，美國(guó)哥倫比亞大學(xué)電氣工程系主任、教授Ioannis (John) KYMISSIS，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授孫小衛(wèi)，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授劉斌，北京大學(xué)教授陳志忠，華燦光電股份有限公司張奕，佛山市國(guó)星光電股份有限公司主任工程師章金惠，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副教授吳挺竹等來自國(guó)內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。福州大學(xué)教授嚴(yán)群主持了本屆分會(huì)。

 

美國(guó)哥倫比亞大學(xué)電氣工程系主任、教授Ioannis (John) KYMISSIS帶來了題為”用于生物醫(yī)學(xué)光學(xué)的MicroLED和OLED器件”的視頻報(bào)告，報(bào)告指出，硅電子是很好并提供寶貴的功能系統(tǒng)。薄膜電子使我們能夠添加幾乎任意的功能，這要?dú)w功于低熱量預(yù)算和對(duì)模板的輕松需求等。光電集成在生物電子系統(tǒng)中尤其有價(jià)值。通過混合集成方法，我們可以混合和匹配我們需要的功能（特別是陣列控制、開關(guān)、傳感和放大）來構(gòu)建未來的系統(tǒng)。

 

南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授孫小衛(wèi)分享了量子點(diǎn)顯示技術(shù)的主題報(bào)告，QD是一種節(jié)能、高質(zhì)量的顯示技術(shù)。ZnO/ZnMgO的RSE可能導(dǎo)致QLED的正老化，這為QLED的研究提供了一個(gè)新的視角。IJP適用于QLED。

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授劉斌做了題為“具有GaN隧道結(jié)的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備”主題報(bào)告，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副教授吳挺竹帶來了”半極性Micro-LED 在顯示與通信方面的應(yīng)用“的主題報(bào)告，分享了最新成果。

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司工藝技術(shù)經(jīng)理張軼銘分享了“基于Mini/ Micro LED新興應(yīng)用的裝備進(jìn)展”主題報(bào)告。

 

北京大學(xué)教授陳志忠做了題為“Micro-LED大注入條件下的多體效應(yīng)研究”的主題報(bào)告，報(bào)告顯示，在GaN襯底上制備了直徑為20μm的GaN/InGaN微LED。從50 kA/cm2到360 kA/cm2測(cè)量了EL光譜。利用多體理論，用APSYS模擬分析了EL光譜的寬度、峰值波長(zhǎng)和強(qiáng)度。電致發(fā)光譜的展寬是由于CS效應(yīng)，而CE則是導(dǎo)致光譜左側(cè)收縮的原因。BGR和結(jié)溫會(huì)引起紅移，而紅移克服了由于波段填充、極化場(chǎng)屏蔽和CS效應(yīng)引起的藍(lán)移。CE效應(yīng)在140 kA/cm2之前下降，然后增加到360kA/cm2。增強(qiáng)的庫侖相互作用導(dǎo)致d（logL）/d（logI）和EQE的異?，F(xiàn)象。

 

隨著LED顯示屏于娛樂、零售，遠(yuǎn)程會(huì)議，教育、醫(yī)療、安防等市場(chǎng)需求增加，小間距、超小間距顯示屏景氣度持續(xù)向好。華燦光電股份有限公司張奕博士分享了新一代顯示用Mini/Micro LED芯片技術(shù)研究與展望。其中，報(bào)告指出，Mini LED RGB顯示技術(shù)作為小間距顯示屏的自然延伸，無論是下游應(yīng)用還是工藝技術(shù)均可無縫銜接，有望為L(zhǎng)ED顯示屏注入新的源頭活水。P1.1以下的顯示屏應(yīng)用，Mini LED 為主流芯片方案。Micro LED顯示將應(yīng)用于電視、手機(jī)、AR/VR，車載顯示、可穿戴電子、數(shù)字顯示（商業(yè)廣告與顯示等），預(yù)估2024年在TV以及IT顯示器應(yīng)用上，Micro LED片量將有快速增長(zhǎng)。2024年在TV應(yīng)用上， Micro LED 芯片產(chǎn)值將達(dá)到21億美元。背光應(yīng)用是Mini LED產(chǎn)業(yè)化的另一重要推手。隨著良率的提高M(jìn)ini LED背光顯示的成本將以每年15-20%的幅度下降，將大比例替代現(xiàn)有的 LED 背光，成為大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇；預(yù)估2025年MiniLED背光芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到14.3億美元，其中用于數(shù)字顯示的芯片產(chǎn)值將達(dá)到6.14億美元，其次為IT產(chǎn)品及TV顯示，產(chǎn)值均超過3億美金。Micro LED的外延技術(shù)關(guān)鍵涉及波長(zhǎng)均勻性一致性、缺陷和Particle的控制、外延面積的有效利用等方面。

 

佛山市國(guó)星光電股份有限公司主任工程師章金惠分享了從Mini到Micro LED技術(shù)演變的問題、思考及進(jìn)展。報(bào)告指出，2018年開始LED顯示屏到P1.0~P0.4 Mini LED顯示時(shí)代。P1.0~P0.4 Mini LED顯示的封裝技術(shù)包含SMD、IMD和COB。Micro LED技術(shù)面臨結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)、可靠性、系統(tǒng)集成等四大挑戰(zhàn)。Micro LED顯示封裝產(chǎn)業(yè)化則面臨著新材料、新設(shè)備、新結(jié)構(gòu)以及良率成本等問題。

 

 廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副教授吳挺竹分享了“半極性Micro-LED 在顯示與通信方面的應(yīng)用”主題報(bào)告。

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