近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司、英諾賽科(珠海)科技有限公司、中電化合物半導(dǎo)體有限公司共同協(xié)辦的“新一代電源及充電應(yīng)用峰會(huì)”上，禾望電氣股份有限公司張孟杰做了題為“SiC器件在新能源變換器中的應(yīng)用”的主題報(bào)告。結(jié)合SiC器件產(chǎn)品的現(xiàn)狀與趨勢(shì)，分享了SiC器件在光伏發(fā)電中的應(yīng)用以及SiC器件在EV主驅(qū)動(dòng)器中的應(yīng)用。
SiC器件具有更低的開關(guān)損耗，無拖尾電流，更低反向恢復(fù)損耗，反向恢復(fù)時(shí)間僅為Si器件的1/10，反向恢復(fù)損耗幾乎可以忽略。全范圍內(nèi)正溫度系數(shù)，并聯(lián)均流特性好。更低的導(dǎo)通壓降，高效率。SiC 器件芯片具有向芯片面積更小，厚度減薄從377um到180um，平面柵向溝槽柵的發(fā)展趨勢(shì)。
SiC器件應(yīng)用于新能源（光伏）、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用、充電樁、通訊電源、航空航天等領(lǐng)域。報(bào)告指出，SiC MOSFET和二極管在光伏逆變器中優(yōu)勢(shì)明顯且較成熟；隨著光伏組件功率的提升對(duì)MOS和二極管規(guī)格提出更高要求；SiC MOS在EV主驅(qū)動(dòng)器中的應(yīng)用受電池價(jià)格下降影響大規(guī)模推廣較為困難；新一代IGBT器件性能提升較多，SiC器件的優(yōu)勢(shì)在部分領(lǐng)域有所下降。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
