近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術”分會上，佛山市國星光電股份有限公司主任工程師章金惠分享了從Mini到Micro LED技術演變的問題、思考及進展,分享了最新技術進展。
LED顯示技術朝4K/8K超高清顯示發(fā)展，分辨率越高，像素尺寸微縮化方向發(fā)展。報告指出，2018年開始LED顯示屏到P1.0~P0.4 Mini LED顯示時代。P1.0~P0.4 Mini LED顯示的封裝技術包含SMD、IMD和COB。Micro LED技術面臨結構設計、工藝開發(fā)、可靠性、系統(tǒng)集成等四大挑戰(zhàn)。Micro LED顯示封裝產(chǎn)業(yè)化則面臨著新材料、新設備、新結構以及良率成本等問題。
Micro LED前景雖可期，但現(xiàn)階段的技術尚不到位。由于Micro LED需要處理極高數(shù)量與極小尺寸的芯片，在其顯示封裝技術與產(chǎn)業(yè)化面臨多項挑戰(zhàn)：結構設計方面，傳統(tǒng)分立器件貼裝結構，除我司獨有的IMD封裝技術外，其他均難以達到P0.X要求，超薄、超高清等顯示要求對Micro LED顯示封裝結構提出新挑戰(zhàn)；工藝開發(fā)方面，Micro LED顯示制造技術從實現(xiàn)路徑到成本良率面臨諸多挑戰(zhàn)，包括芯片制造、巨量轉移與鍵合、全彩化顯示等技術難題；可靠性方面，Micro LED顯示屏用器件劇增，巨量集成導致焊接、封裝質量和壞點維修難度大；系統(tǒng)集成方面，系統(tǒng)關鍵技術指標暫無統(tǒng)一規(guī)范的指導標準，Micro LED顯示暫無豐富內(nèi)容和終端支持。
目前，國星光電在Micro LED領域已實現(xiàn)了較大的技術突破，在第一代Micro LED顯示屏的基礎上，已與面板廠合作開發(fā)出基于TFT玻璃背板的主動式驅動Micro LED全彩顯示屏。近日，采用自主研發(fā)的巨量轉移技術，已經(jīng)初步實現(xiàn)250PPI以上紅/綠/藍單色轉移鍵合點亮。
預計明年將實現(xiàn)P0.1以下的主動式驅動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅動單色顯示，未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設備顯示設備、AR/VR等應用市場。
目前國星光電已成立國星研究院、微顯示企業(yè)重點實驗室、Micro＆Mini LED研究中心三大創(chuàng)新科研平臺，通過開放合作的模式，加強與學術界及產(chǎn)業(yè)界協(xié)作，聯(lián)手產(chǎn)業(yè)鏈上中下游各個環(huán)節(jié)，集中優(yōu)勢資源攻克微顯示行業(yè)技術性難題，合力打破技術發(fā)展瓶頸，并積極研發(fā)定制化、先進的LED顯示封裝解決方案，推動科研技術成果孵化，共同推進Micro LED產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)共贏。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
