一個(gè)處理物理能源:是信息論在電池電控的應(yīng)用,用信息控智能量,四兩撥千斤的功率半導(dǎo)體,用少量信息處理控制巨量電流,極大的提高能效和控制精度,其背后需要一系列的半導(dǎo)體(SiC、GaN)來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體對(duì)電能的有效控制。
一個(gè)處理數(shù)字信號(hào):是控制論在無(wú)人駕駛的應(yīng)用,其本質(zhì)是多反應(yīng)+少預(yù)測(cè)的特斯拉FSD,其L5 ADAS的算力將高于智能手機(jī)幾個(gè)數(shù)量級(jí),用CPU、GPU、FPGA、射頻、存儲(chǔ)芯片組成龐大異構(gòu)算力實(shí)時(shí)運(yùn)算將電車喚醒,車載含硅量也將是數(shù)量級(jí)的提升。
投資建議:建議關(guān)注相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)的:設(shè)備:北方華創(chuàng)(整套SiC工藝設(shè)備)、聞泰科技(安世半導(dǎo)體)、三安光電(三安集成)、斯達(dá)半導(dǎo)、長(zhǎng)電科技(600584)、比亞迪電子。
1． 全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立格局,其中美國(guó)一家獨(dú)大。隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的不斷升級(jí),半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域成為了中美必爭(zhēng)之地,伴隨著華為再次被美制裁,高端裝備等領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。此外,SiC材料和器件在軍工國(guó)防領(lǐng)域的重要作用,也越來(lái)越突出。SiC外延設(shè)備在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中,意義尤為重大。
2． 器件發(fā)展,材料先行,IDM模式將繼續(xù)成為行業(yè)主流。SiC將會(huì)取代Si作為大部分功率器件的材料,但不會(huì)完全替代,因?yàn)閿?shù)字芯片并不適合采用SiC對(duì)Si進(jìn)行替代,因此SiC預(yù)計(jì)占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)10%左右。SiC主要應(yīng)用在功率半導(dǎo)體上,因此IDM模式能夠確保產(chǎn)品良率、控制成本。
3． 國(guó)內(nèi)外差距沒(méi)有一、二代半導(dǎo)體明顯。先發(fā)優(yōu)勢(shì)是半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn),Cree高市占率也印證了先發(fā)優(yōu)勢(shì)的重要性。相較于Si,國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)SiC研究起步時(shí)間與國(guó)外廠商相差不多,因此國(guó)產(chǎn)廠商有希望追上國(guó)外廠商,完成國(guó)產(chǎn)替代。
風(fēng)險(xiǎn)提示:半導(dǎo)體周期持續(xù)下行,貿(mào)易摩擦拉長(zhǎng)周期下行的時(shí)間;產(chǎn)品迭代速度較慢,國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)者迅速成長(zhǎng);制造過(guò)程中核心設(shè)備和原材料遭到禁運(yùn),對(duì)生產(chǎn)造成不利影響。
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