近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。

 

期間，德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”分會(huì)上，日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新分享了超寬帶隙氧化鎵的低溫生長(zhǎng)和表征的研究成果。

超寬禁帶半導(dǎo)體（AlGa）₂O₃具有4.9（Ga₂O₃）到8.7ev（Al₂O₃）的可調(diào)帶隙，是一種很有前途的光電材料。（AlGa）₂O₃基固態(tài)器件幾乎是基于薄膜生長(zhǎng)所產(chǎn)生的材料結(jié)構(gòu)。因此，生長(zhǎng)技術(shù)被認(rèn)為是制備（AlGa）₂O₃基器件的關(guān)鍵之一。人們已經(jīng)探索了各種各樣的生長(zhǎng)技術(shù)來沉積（AlGa）₂O₃薄膜，包括濺射、分子束外延、霧化學(xué)氣相沉積、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積和脈沖激光沉積（PLD）。在這些沉積方法中，PLD是一種很好的低溫生長(zhǎng)候選技術(shù)，由于PLD生長(zhǎng)的動(dòng)能相對(duì)較低，所以在PLD工藝中產(chǎn)生的動(dòng)能相對(duì)較高。另一方面，氧等離子體是降低薄膜生長(zhǎng)溫度的有效輔助物質(zhì)。因此，PLD與氧等離子體輔助相結(jié)合是一種非常有效的低溫薄膜生長(zhǎng)方法。報(bào)告分享了氧等離子體輔助PLD低溫生長(zhǎng)（AlGa）₂O₃薄膜。系統(tǒng)研究了襯底溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。此外，還介紹了這些超寬氧化物半導(dǎo)體生長(zhǎng)的最新進(jìn)展。

郭其新博士現(xiàn)任日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任，電氣電子系教授，博士生導(dǎo)師。分別于1990，1992和1996年在日本國(guó)立豐橋技術(shù)科學(xué)大學(xué)電氣電子系獲得學(xué)士，碩士和博士學(xué)位。主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上發(fā)表SCI論文330余篇，H因子為44（Google Scholar）。
 

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