12月17日，南大光電公告，公司控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品近日成功通過(guò)客戶的使用認(rèn)證。

 

認(rèn)證評(píng)估報(bào)告顯示，“本次認(rèn)證選擇客戶50nm閃存產(chǎn)品中的控制柵進(jìn)行驗(yàn)證，寧波南大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測(cè)試各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。”

 

“ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家“02專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目，總投資6億元，項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)約10億元的年銷售額，年利稅預(yù)計(jì)約2億元。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著“ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠。

 

光刻膠是半導(dǎo)體光刻工藝的核心材料，決定了半導(dǎo)體圖形工藝的精密程度和良率，其質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻膠作為半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的核心材料之一，經(jīng)過(guò)紫外光、電子束等照射，光刻膠得到曝光，化學(xué)性質(zhì)發(fā)生改變，經(jīng)過(guò)顯影液的洗滌，圖案會(huì)留在襯底上。光刻膠分為KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)幾種，括號(hào)中的數(shù)值為曝光光源的波長(zhǎng)。

 

與此相對(duì)的，作為高精尖的半導(dǎo)體制造核心材料，由于技術(shù)壁壘和客戶壁壘高，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)集中度高，市場(chǎng)被美日公司長(zhǎng)期壟斷。日本的JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)及富士電子四家企業(yè)占據(jù)了全球70%以上的市場(chǎng)份額，處于市場(chǎng)壟斷地位。

 

按不同制程，半導(dǎo)體用光刻膠可分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠及G線、i線光刻膠，前三者均為高端光刻膠產(chǎn)品，產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年國(guó)內(nèi)在g線/i線光刻膠僅達(dá)到20%自給率，而KrF光刻膠自給率不足 5%，ArF光刻膠則完全依賴進(jìn)口。研發(fā)進(jìn)度上，EUV光刻膠為目前市場(chǎng)上最高端的光刻膠，目前國(guó)內(nèi)還未開(kāi)始涉及，但在ArF光刻膠、KrF光刻膠領(lǐng)域，除了南大光電外，國(guó)內(nèi)已有眾多企業(yè)相繼開(kāi)啟研發(fā)。

 

南大光電主要從事高純電子材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過(guò)承擔(dān)國(guó)家重大技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。目前，公司形成MO源、電子特氣、光刻膠及配套材料以及ALD/CVD前驅(qū)體材料等業(yè)務(wù)板塊。本次通過(guò)客戶認(rèn)證的產(chǎn)業(yè)化意義大。本次驗(yàn)證使用的50nm閃存技術(shù)平臺(tái)，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求，該工藝平臺(tái)的光刻膠在業(yè)界有代表性。

 

南大光電表示，目前與客戶的產(chǎn)品銷售與服務(wù)協(xié)議尚在協(xié)商之中。同時(shí)，ArF光刻膠的復(fù)雜性決定了其在穩(wěn)定量產(chǎn)階段仍然存在工藝上的諸多風(fēng)險(xiǎn)，其在應(yīng)用工藝的改進(jìn)、完善等方面的表現(xiàn)，都會(huì)決定ArF光刻膠的量產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟(jì)效益。