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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

東南大學(xué)團隊在日盲光電探測領(lǐng)域取得新進展

日本國立材料研究所廖梅勇團隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

水凝膠半導(dǎo)體材料問世可作為理想生物電子界面

金剛石膜取得大突破！

前沿科技 | 無需半導(dǎo)體材料的電子器件問世

韓開發(fā)出新高遷移率p型半導(dǎo)體材料

純度超99.99995%！我國開發(fā)出超高純石墨產(chǎn)品

我國科學(xué)家開發(fā)出面向新型芯片的絕緣材料

西安交大科研人員在低維鈣鈦礦器件領(lǐng)域取得進展

華科大，再上分！

化學(xué)所在制備強熒光二維共軛聚合物半導(dǎo)體材料方面獲進展

化學(xué)所在多功能集成聚合物半導(dǎo)體的分子設(shè)計方面取得進展

國際上首次！基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)已報道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

代爾夫特理工大學(xué)研究團隊開發(fā)無定形碳化硅，可用于微芯片領(lǐng)域

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進展

上海硅酸鹽所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新進展

山東大學(xué)與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得重大突破

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導(dǎo)體單晶材料外延范式

山東大學(xué)陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

我國成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測等領(lǐng)域重大需求

上海微系統(tǒng)所成功實現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調(diào)控

中國科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進展

中國科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進展

京都大學(xué)研究組開發(fā)出新型功率半導(dǎo)體材料“金紅石型GeO2基半導(dǎo)體”

銀河證券：看好半導(dǎo)體設(shè)備材料

河南省加快材料產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢再造換道領(lǐng)跑行動計劃（2022—2025年）發(fā)布將培育半導(dǎo)體材料等40條先進材料重點產(chǎn)業(yè)鏈

寧波材料所在低成本鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料方面取得研究進展

中國科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長

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