近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
 

期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司協(xié)辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，澳大利亞格里菲斯大學(xué)昆士蘭微納米技術(shù)中心研究員Jisheng HAN分享關(guān)于SiO2/SiC界面的物理機制的研究成果。報告顯示，基于離子注入vdmosfet閾值電壓不穩(wěn)定性與溝道載流子遷移率下降之間的強相關(guān)性，不需要離子注入?yún)^(qū)的umosfet可以實現(xiàn)。

最先進的4H-SiC mosfet仍然存在性能（低溝道載流子遷移率和高閾值電壓）和可靠性（閾值電壓不穩(wěn)定性）問題。這些問題被歸因于存在于SiO2–SiC界面區(qū)域的大量電活性缺陷。報告綜述了SiO2-SiC的物理機制。比較了SiO2/Si與SiO2/SiC的異同。介紹了氮在界面上的作用及其作為減少界面有害鍵的關(guān)鍵作用。最后回顧了目前的性能和可靠性現(xiàn)狀。討論了提高4H-sicmosfet溝道遷移率和可靠性的技術(shù)和方法。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）