根據(jù)最新的數(shù)據(jù)顯示，光刻機(jī)大廠ASML的極紫外光（EUV）光刻機(jī)在2020年12月中完成了第100臺EUV光刻機(jī)的出貨，預(yù)估2021年其EUV曝光機(jī)產(chǎn)能可達(dá)45～50臺規(guī)模，這也意味著EUV光刻機(jī)出貨進(jìn)入高速成長階段。
由于臺積電、三星、英特爾、SK海力士等半導(dǎo)體大廠均全力布建EUV生產(chǎn)線，ASML的EUV光刻機(jī)的出貨量將會持續(xù)增長。
半導(dǎo)體制程跟隨摩爾定律持續(xù)微縮，EUV光刻技術(shù)成為關(guān)鍵。
以邏輯制程來看，臺積電及三星晶圓代工的5nm制程已量產(chǎn)，平均每片晶圓的EUV光罩層達(dá)10～14層，與采用EUV的7nm相較增加一倍，至于3nm EUV光罩層將提升至20層以上，對極紫外光光罩盒（EUV Pod）的需求量呈現(xiàn)等比級數(shù)成長。
至于英特爾基于EUV技術(shù)的7nm已試產(chǎn)并加速進(jìn)行良率提升，預(yù)期2022年之后將導(dǎo)入量產(chǎn)。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者預(yù)估，英特爾7nm EUV光罩層有望逐步接近臺積電晶的5nm水準(zhǔn)，英特爾的5nm采用的EUV光罩層將會與臺積電3nm相當(dāng)，這也是為何英特爾現(xiàn)階段已積極鞏固EUV Pod供貨產(chǎn)能的原因。
此外，三星及SK海力士已開始擴(kuò)建采用EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)線，美光雖然還未表態(tài)但已開始招兵買馬預(yù)作準(zhǔn)備。據(jù)業(yè)界消息，韓系存儲廠第一代EUV的DRAM制程約采用2層EUV光罩層，但第二代將增加至4層。由于DRAM廠投片規(guī)模龐大，單一廠區(qū)的月投片量高達(dá)20～30萬片，若全數(shù)轉(zhuǎn)成EUV技術(shù)則對EUV Pod的總需求量并不輸給晶圓代工廠。
ASML 2020年EUV設(shè)備產(chǎn)能大概有35臺出貨量，12月中第100臺EUV光刻機(jī)已正式出貨，2021年產(chǎn)能將提升至45～50臺，包括臺積電、三星、英特爾等半導(dǎo)體大廠都積極建置EUV產(chǎn)能及備品供應(yīng)鏈。
由于全球EUV Pod只有中國臺灣的家登精密及美國的英特格（Entegris）兩家供應(yīng)商獲得ASML及各半導(dǎo)體廠認(rèn)證，且家登與英特格和解后的市占率已明顯拉升，2021年接單大爆發(fā)且訂單能見度看到年底，來自晶圓代工廠、IDM廠、存儲廠的訂單都較2020年增加逾一倍。
來源：工商時報
