國家計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫進目前正在制定的十四五規(guī)劃中，必將推動第三代半導體材料、器件和應用技術的大力發(fā)展。華微電子表示，第三代半導體技術，我國與國外在技術上差距小，大力發(fā)展第三代半導體能夠使我們具有擁有和國際巨頭齊頭并進和換道超車的條件。

 

在過去的兩年，受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等因素，第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，涌現(xiàn)第三代半導體材料投資熱潮。

 

不過，第三代半導體并非是在第一代、第二代半導體的技術上進行一種簡單的迭代，而是一個全新的技術架構。這要求真正有能力、有自主知識產(chǎn)權的企業(yè)能夠沉淀下來去做這件事。

 

在過去的半個多世紀中，華微電子持續(xù)突破諸多關鍵技術，加速推動功率半導體器件的國產(chǎn)化替代，助力我國工業(yè)強基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展，成為具有國際競爭力的功率半導體企業(yè)。

 

最大的瓶頸是原材料。華微電子表示，我國原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解，另外相關材料制備的關鍵設備依靠進口。SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平還有差距；其應用技術的研究比較關鍵，若相關配套技術及產(chǎn)品跟不上，第三代半導體的材料及器件的作用和效率可能會發(fā)揮不好。

 

目前SiC產(chǎn)品已經(jīng)可以提供二極管產(chǎn)品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子表示，下一步，將進一步發(fā)揮公司的IDM模式的優(yōu)勢，集中精力研究三代半導體的關鍵產(chǎn)品技術和應用技術，完善相關生產(chǎn)線開發(fā)和制造能力，為消費類、工業(yè)和汽車電子領域提供優(yōu)異的三代半導體電力電子器件。

 

為擴大公司生產(chǎn)線，2019年，華微電子以每股3.90元價格公開發(fā)行2.1億股，募集資金總額8.3億元，用于新型電力電子器件基地項目投資。

 

華微電子介紹，新型電力電子器件基地項目建成以后能夠有力地補充公司的產(chǎn)品種類和提升產(chǎn)品性能。二期項目規(guī)劃的產(chǎn)品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結(jié)MOSFET產(chǎn)品，主要應用市場是電池保護、電動工具、基站電源、工業(yè)控制、充電樁和汽車電子，在這些領域華微電子產(chǎn)品技術儲備完善，建成后可以快速發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢，快速提升產(chǎn)品線的盈利能力。在當前國產(chǎn)化替代趨勢的環(huán)境下，有望快速突破高端領域。