3月11日消息，晶圓代工領(lǐng)域走入先進(jìn)制程技術(shù)，目前美國半導(dǎo)體巨頭英特爾仍在為7nm制程研發(fā)傷透腦筋，全球晶圓代工龍頭臺積電與競爭對手、南韓科技大廠三星電子較勁，除了先進(jìn)封裝技術(shù)，制程采用技術(shù)更是市場焦點(diǎn)，三星聲稱將在3nm制程采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-Around，GAA），臺積電則是考慮進(jìn)入2nm制程才導(dǎo)入。外媒報(bào)導(dǎo)指出，臺灣與日本半導(dǎo)體業(yè)界研發(fā)，將帶來新一代晶體管，有望實(shí)現(xiàn)2nm制程。

 

據(jù)報(bào)道，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與臺灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）合作，開發(fā)新一代晶體管結(jié)構(gòu)。如果采用這項(xiàng)技術(shù)，這對于先進(jìn)制程技術(shù)對于摩爾定律極限突破帶來重大影響，這份多層鍵合與異質(zhì)整合的研究有望帶來可行性參考。

 

 

這項(xiàng)技術(shù)是將硅（Si）和鍺（Ge）等不同材料從上下方堆棧，從「n型」和「p型」場效應(yīng)晶體管（FET）靠近、名為「CFET」結(jié)構(gòu)。日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所表示，這技術(shù)是全球創(chuàng)舉。CFET結(jié)構(gòu)晶體管效能更高、面積更小，有助于2nm以下制程的新一代半導(dǎo)體技術(shù)，預(yù)計(jì)在2024年以后運(yùn)用，并在未來3年內(nèi)提供民間企業(yè)技轉(zhuǎn)。

 

臺積電2月9日董事會決議，核準(zhǔn)于日本投資設(shè)立一百分之百持股之子公司，實(shí)收資本額不超過日幣186億元（約美金1億8,600萬元），以擴(kuò)展本公司之3DIC材料研究。臺積電董事長劉德音提及，臺積電在新材料技術(shù)創(chuàng)新，包括六方氮化硼（hBN）已接近實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，與臺灣學(xué)界團(tuán)隊(duì)合作成功以大面積晶圓尺寸生長單晶氮化硼等。

 

劉德音先前接受2021年國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2021）開場在線專題演說時指出，臺積電3nm制程計(jì)劃比預(yù)期早一些，未來主要制程節(jié)點(diǎn)將如期生產(chǎn)。臺積電3nm制程預(yù)計(jì)今年下半年試產(chǎn)，明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

 

至于2nm制程，臺積電將轉(zhuǎn)向采用GAA的納米片架構(gòu)，提供比FinFET架構(gòu)更多的靜電控制，改善芯片整體功耗。

 

劉德音指出，系統(tǒng)整合是半導(dǎo)體未來發(fā)展方向，Chiplet是能讓技術(shù)朝向正確方向發(fā)展的關(guān)鍵，而臺積電SoIC先進(jìn)封裝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)3D芯片堆棧。