隨著GaN半導(dǎo)體芯片行業(yè)的蓬勃發(fā)展，GaN功率器件在快速充電器、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。據(jù)Yole Développement研究顯示，預(yù)計(jì)到2022年該市場(chǎng)將成長(zhǎng)到4.5億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)91%。其中硅基GaN器件憑借性能好、成本低、與CMOS工藝兼容等一系列優(yōu)勢(shì)，成為目前GaN功率芯片的主流。
低損傷型刻蝕設(shè)備
面向硅基GaN器件中多種材料的刻蝕工藝需求，北方華創(chuàng)推出的GSE C200型刻蝕設(shè)備，通過(guò)不同的射頻功率與工藝優(yōu)化，可滿足多種不同刻蝕深度與刻蝕速率要求。針對(duì)硅基GaN器件制造中關(guān)鍵的低速、低損傷刻蝕工藝，我們開發(fā)了高精度、低功率的射頻電源與匹配技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低等離子體能量的精準(zhǔn)控制，有效降低了刻蝕損傷，滿足了硅基GaN器件的量產(chǎn)要求。同時(shí)，北方華創(chuàng)開發(fā)的原子層刻蝕技術(shù)，具有均勻性好、表面粗糙度小等一系列優(yōu)勢(shì)。
8/6英寸金屬刻蝕機(jī)
為了更好地滿足客戶對(duì)于硅基GaN領(lǐng)域厚鋁刻蝕的要求，北方華創(chuàng)NMC508M刻蝕機(jī)采用具有獨(dú)特技術(shù)優(yōu)勢(shì)的自主射頻系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)更高的鋁刻蝕速率，有效提升產(chǎn)能。同時(shí)針對(duì)GaN器件對(duì)刻蝕均勻性要求更高的TiN刻蝕工藝，可通過(guò)等離子密度分布的內(nèi)外區(qū)調(diào)節(jié)加以實(shí)現(xiàn)。在缺陷控制方面，NMC508M采用了低顆粒/缺陷控制技術(shù)，有效控制了缺陷水平。此外，NMC508M還配置了去膠腔，可針對(duì)客戶需求進(jìn)行反應(yīng)副產(chǎn)物和殘留物去除，有效防止鋁線腐蝕等問(wèn)題，同時(shí)去膠速率達(dá)到先進(jìn)水平。
8英寸大產(chǎn)能型PVD鍍膜系統(tǒng)
隨著GaN產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，客戶對(duì)產(chǎn)能及機(jī)臺(tái)利用率等方面要求越來(lái)越高，北方華創(chuàng)通過(guò)機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，開發(fā)了eVictor GX20系列通用磁控濺射系統(tǒng)。該系統(tǒng)為雙傳輸平臺(tái)結(jié)構(gòu)，共可配置10個(gè)工藝模塊。在高溫Al濺射工藝中，該系統(tǒng)可通過(guò)結(jié)構(gòu)及調(diào)度優(yōu)化，使產(chǎn)能大幅提升，并通過(guò)工藝優(yōu)化，提升靶材利用率及沉積速率。eVictor GX20系列設(shè)備兼容性強(qiáng)，可為客戶提供高產(chǎn)能、高設(shè)備利用率的薄膜沉積設(shè)備。
