半導(dǎo)體芯片設(shè)備龍頭中微公司16日宣布新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-StarR已交付客戶投入生產(chǎn)。和國(guó)內(nèi)外同類設(shè)備相比，這一刻蝕設(shè)備能以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，為邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片等應(yīng)用提供高性價(jià)比的刻蝕解決方案。

　　

光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積）設(shè)備被并稱為半導(dǎo)體工藝三大關(guān)鍵設(shè)備。目前我國(guó)在刻蝕機(jī)和MOCVD設(shè)備領(lǐng)域已躋身國(guó)際先進(jìn)水平，并在全球市場(chǎng)占有一席之地。

 

其中，中微公司開(kāi)發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應(yīng)用。同時(shí)，中微公司開(kāi)發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積）設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。

　　

本次中微公司發(fā)布的Primo Twin-StarR創(chuàng)新使用雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱抽氣口效應(yīng)，通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。

　　

與其他同類設(shè)備相比，新產(chǎn)品以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用。