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三安光電:湖南三安獲得科技研發(fā)專項扶持資金2億元

日期:2021-03-23 來源:第三代半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:352
核心提示:三安光電股份有限公司發(fā)布全資子公司獲得補貼款的公告。公告表示,根據(jù)公司與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目投資
三安光電股份有限公司發(fā)布全資子公司獲得補貼款的公告。公告表示,根據(jù)公司與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目投資建設合同》,長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會同意按合同約定撥付公司全資子公司湖南三安半導體有限責任公司(以下簡稱 “湖南三安”)科技研發(fā)專項扶持資金2億元。
 
湖南三安已于2021年3月19日收到該筆款項。根據(jù)《企業(yè)會計準則第16號—政府補助》的規(guī)定,湖南三安收到的該筆科技研發(fā)專項扶持資金在收到時確認為當期收益,將對公司2021年第一季度業(yè)績產(chǎn)生積極影響。
 
資料顯示,湖南三安業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務。
 
湖南三安項目總投資160億,總占地面積1000畝,主要建設具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地,依托全產(chǎn)業(yè)鏈及大規(guī)模生產(chǎn)布局將使得公司節(jié)能芯片產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場領先競爭優(yōu)勢。
 
湖南三安半導體項目是長沙市高新區(qū)鋪排重點項目,根據(jù)項目規(guī)劃主附建筑物81棟,包括長晶、襯底、外延、芯片、封測等廠房,總建筑面積54萬平米。建成達產(chǎn)后將形成超100億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計超1000億元,創(chuàng)造近10000個就業(yè)崗位。
 
 
目前,湖南三安第三代半導體項目3棟廠房主體相繼封頂。
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