近些年，隨著我國對半導(dǎo)體芯片需求量持續(xù)提高，芯片短缺問題日益嚴(yán)峻。同時(shí)，由于長期依賴進(jìn)口，導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵技術(shù)“卡脖子”事件時(shí)有發(fā)生。

 

為推進(jìn)解決芯片短缺、關(guān)鍵技術(shù)“卡脖子”等問題，多個(gè)部門及專家近期連續(xù)發(fā)聲，為早日根除“芯病”提供支持。

 

 

財(cái)政部、海關(guān)總署和稅務(wù)總局近日出臺《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策的通知》提出，集成電路線寬小于65納米的邏輯電路、存儲器生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品等5種情形免征進(jìn)口關(guān)稅。

 

3月24日，工業(yè)和信息化部黨組成員、副部長辛國斌在主持召開汽車芯片供應(yīng)問題研討會時(shí)指出，汽車芯片是關(guān)乎產(chǎn)業(yè)核心競爭力的重要器件，是汽車強(qiáng)國建設(shè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)，需要統(tǒng)籌發(fā)展和安全，堅(jiān)持遠(yuǎn)近結(jié)合、系統(tǒng)推進(jìn)，提升全產(chǎn)業(yè)鏈水平，有力支撐汽車和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

 

今年全國兩會上，全國政協(xié)委員、中國工程院院士鄧中翰建議，通過標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)實(shí)現(xiàn)芯片自主創(chuàng)新和“垂直域創(chuàng)新”，不斷挖掘出芯片新賽道和應(yīng)用新領(lǐng)域，進(jìn)而在關(guān)鍵核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破；《民建中央關(guān)于加快提升產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化水平的提案》中建議，在重要領(lǐng)域推動芯片、基礎(chǔ)軟件等自主產(chǎn)品加速應(yīng)用成熟。

 

業(yè)界普遍認(rèn)為，由此不難看出，芯片產(chǎn)品的國產(chǎn)化替代及生產(chǎn)核心技術(shù)突破，已經(jīng)成為各方共同關(guān)注的重要話題。

 

千門資產(chǎn)投研總監(jiān)宣繼游在接受《證券日報(bào)》記者采訪時(shí)表示，目前制約我國半導(dǎo)體芯片發(fā)展的因素主要有兩點(diǎn)：一是制程和光刻機(jī)部分。光刻機(jī)決定了半導(dǎo)體芯片的制作精度，也就決定了能不能向更小的單元去發(fā)展。二是工業(yè)軟件部分。芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域更多的是需要工業(yè)軟件的匹配度。

 

“目前來說，從根本上解決這兩點(diǎn)問題的可能性很低。我們現(xiàn)在需要做的不是去突破最精尖的或者是在專利保護(hù)期之內(nèi)的技術(shù)、產(chǎn)品，而是圍繞已經(jīng)過了專利期的普通產(chǎn)品是否能實(shí)現(xiàn)復(fù)制和提高芯片自給率去努力。”宣繼游說。

 

雖然近幾年我國集成電路產(chǎn)業(yè)年均增長率已經(jīng)超過了20%，但是芯片自給依然不足。

 

據(jù)央視財(cái)經(jīng)援引國務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國芯片自給率要在2025年達(dá)到70%，而2019年我國芯片自給率僅為30%左右。

 

飛象網(wǎng)創(chuàng)始人、工信部高質(zhì)量發(fā)展高層次咨詢專家項(xiàng)立剛對《證券日報(bào)》記者表示，以目前的發(fā)展情況來看，這一目標(biāo)實(shí)現(xiàn)的可能性很大，因?yàn)樽罱鼛啄晡覀冊诎雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資非常大。同時(shí)，政府非常重視，制定了大量的政策來支持產(chǎn)業(yè)。另外，我們不缺市場，這一領(lǐng)域的人才非常多。

 

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅在傳統(tǒng)賽道上正在努力追趕國際先進(jìn)水平，更是嘗試在創(chuàng)新層面進(jìn)行布局，爭取實(shí)現(xiàn)彎道超車。

 

日前發(fā)布的《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》提出，加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”的其中一項(xiàng)是“集成電路”。具體看，包括“集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進(jìn)存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展”。

 

據(jù)《證券日報(bào)》記者了解，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

 

對于第三代半導(dǎo)體，宣繼游表示“十分看好”，認(rèn)為“一定會成為普及產(chǎn)業(yè)、量化產(chǎn)業(yè)”。

 

宣繼游介紹，第三代半導(dǎo)體分為功率半導(dǎo)體和射頻半導(dǎo)體。其中，射頻半導(dǎo)體可以更好地服務(wù)于5G甚至6G技術(shù)，利好通訊行業(yè)，幫助通訊行業(yè)保持國際技術(shù)領(lǐng)先；功率半導(dǎo)體更多的利好于汽車行業(yè)將為我國新能源汽車產(chǎn)業(yè)提供和國際一線品牌一較高下的實(shí)力，讓新能源汽車產(chǎn)業(yè)不輸在起跑線上。