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二維材料大面積集成到常規(guī)集成電路的可擴(kuò)展方法

日期:2021-04-19 來(lái)源:柔智燴閱讀:360
核心提示:二維(2D)材料具有巨大的潛力,可以為設(shè)備提供更小的尺寸和擴(kuò)展的功能(相對(duì)于當(dāng)今的硅技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)的功能)。不過(guò),到目前為止,大多數(shù)將2D材料從其生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到所需電子器件的實(shí)驗(yàn)方法要么與大批量生產(chǎn)不兼容,要么導(dǎo)致2D材料及其電子性能的顯著降低。
二維材料大面積集成的可擴(kuò)展方法
 
二維(2D)材料具有巨大的潛力,可以為設(shè)備提供更小的尺寸和擴(kuò)展的功能(相對(duì)于當(dāng)今的硅技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)的功能)。但是,要開發(fā)這種潛力,我們必須能夠?qū)?D材料集成到半導(dǎo)體生產(chǎn)線中-這是非常困難的一步。瑞典和德國(guó)的石墨烯旗艦研究人員團(tuán)隊(duì)現(xiàn)在報(bào)告了使這項(xiàng)工作有效的新方法。
 
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2D材料與硅或與具有集成電子設(shè)備的基板的集成提出了許多挑戰(zhàn)。石墨烯旗艦會(huì)員KTH的研究員Arne Quellmalz說(shuō):"從特殊的生長(zhǎng)基質(zhì)轉(zhuǎn)移到構(gòu)建傳感器或組件的最終基質(zhì)始終是關(guān)鍵的一步。" "您可能希望將用于光學(xué)片上通信的石墨烯光電檢測(cè)器與硅讀出電子設(shè)備相結(jié)合,但是這些材料的生長(zhǎng)溫度過(guò)高,因此您不能直接在設(shè)備基板上進(jìn)行這種操作。"
 
到目前為止,大多數(shù)將2D材料從其生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到所需電子器件的實(shí)驗(yàn)方法要么與大批量生產(chǎn)不兼容,要么導(dǎo)致2D材料及其電子性能的顯著降低。Quellmalz及其同事提出的解決方案的優(yōu)點(diǎn)在于,它在于現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工具包:使用稱為雙苯并環(huán)丁烯(BCB)的標(biāo)準(zhǔn)介電材料以及傳統(tǒng)的晶圓鍵合設(shè)備。
 
用于二維(2D)材料的晶圓級(jí)轉(zhuǎn)移和2D材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成的方法的示意圖:
 
 
材料晶圓級(jí)傳輸。(1)在目標(biāo)晶圓上旋涂熱固性雙苯并環(huán)丁烯(BCB)作為粘合劑層并對(duì)其進(jìn)行軟烘烤。(2)將2D材料放置在目標(biāo)晶片頂部的其生長(zhǎng)襯底上,并使2D材料面向目標(biāo)晶片。(3)通過(guò)使用商用半導(dǎo)體晶片鍵合工具對(duì)晶片堆疊施加熱量和力來(lái)進(jìn)行粘合劑晶片鍵合,從而在其生長(zhǎng)襯底上的2D材料與目標(biāo)晶片之間形成穩(wěn)定的鍵合。(4)去除生長(zhǎng)底物。(I)在目標(biāo)晶圓上轉(zhuǎn)移2D材料。b二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成。(1)無(wú)需額外處理就重復(fù)使用步驟(I)中的目標(biāo)晶片。(2)將第二種2D材料放置在目標(biāo)晶圓頂部的其生長(zhǎng)襯底上,使2D材料面對(duì)先前傳輸?shù)?D材料。(3)如a)步驟(3)中的晶片鍵合。(4)去除第二2D材料的生長(zhǎng)襯底。(II)在目標(biāo)晶圓上轉(zhuǎn)移的2D材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
 
Quellmalz說(shuō):"我們基本上將兩種晶片與BCB制成的樹脂粘合在一起。" "我們加熱樹脂,直到像蜂蜜一樣變得粘稠,然后將2D材料壓在它上面。" 在室溫下,樹脂變?yōu)楣腆w,并在2D材料和晶圓之間形成穩(wěn)定的連接。"要堆疊材料,我們重復(fù)加熱和加壓的步驟。樹脂再次變得粘稠,表現(xiàn)得像墊子或水床,支撐層堆疊并適應(yīng)新的2D材料的表面。"
 
研究人員展示了石墨烯和二硫化鉬(MoS2)的轉(zhuǎn)移,作為過(guò)渡金屬二鹵化碳的代表,以及具有六方氮化硼(hBN)和MoS2的堆疊石墨烯向異質(zhì)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移。據(jù)報(bào)道,所有轉(zhuǎn)移的層和異質(zhì)結(jié)構(gòu)都是高質(zhì)量的,也就是說(shuō),它們?cè)?00毫米大小的硅晶片上具有均勻的覆蓋范圍,并且在轉(zhuǎn)移的2D材料中幾乎沒(méi)有應(yīng)變。
 
研究人員認(rèn)為,其轉(zhuǎn)移方法原則上適用于任何2D材料,而與生長(zhǎng)基質(zhì)的大小和類型無(wú)關(guān)。并且,由于它僅依賴于半導(dǎo)體工業(yè)中已經(jīng)普遍使用的工具和方法,因此它可以大大加快新一代設(shè)備在市場(chǎng)上的出現(xiàn),其中將2D材料集成在常規(guī)集成電路或微系統(tǒng)之上。這項(xiàng)工作是朝著這個(gè)目標(biāo)邁出的重要一步,盡管仍然存在許多其他挑戰(zhàn),但潛在的應(yīng)用范圍很廣:從光子學(xué),傳感技術(shù)到神經(jīng)形態(tài)計(jì)算。二維材料的集成對(duì)于歐洲高科技行業(yè)而言可能是真正的游戲規(guī)則改變者。
 
參考資料:
 
"通過(guò)晶片鍵合實(shí)現(xiàn)二維材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的大面積集成",A。Quellmalz,X。Wang,S。Sawallich,B。Uzlu,M。Otto,S。Wagner,Z。Wang,M。Prechtl, O.Hartwig,S.Lou,GS Duesberg,MC Lemme,KB Gylfason,N.Roxhed,G.Stemme和F.Niklaus ,Nature Communications(2021),DOI:10.1038 / s41467-021-21136-0。 
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